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RJP020N06T100-VB一款N溝道SOT89-3封裝MOSFET應(yīng)用分析

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發(fā)表于 2023-11-20 15:45:21 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: MOS , MOS管 , mosfet , vbsemi
RJP020N06T100 (VBI1695)參數(shù)說明:N溝道,60V,5A,導(dǎo)通電阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V),閾值電壓1~3V,封裝:SOT89-3。
應(yīng)用簡(jiǎn)介:RJP020N06T100適用于電源開關(guān)和電機(jī)控制等應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性使其在高功率場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊:適用于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊,特別適合高功率要求的場(chǎng)景。


VBI1695.png (88.79 KB)

VBI1695.png

RJP020N06T100.pdf

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