P9006EDG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

VBsemi

P9006EDG (VBE2610N)參數說明：P溝道，-60V，-38A，導通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。
應用簡介：P9006EDG適用于功率開關和逆變器等應用的P溝道MOSFET。
其高電流承載能力和低導通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。
適用領域與模塊：適用于電源開關、逆變器和功率放大器等領域模塊，特別適合高功率要求的場景。