P9006EDG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

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P9006EDG (VBE2610N)參數(shù)說明：P溝道，-60V，-38A，導(dǎo)通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：P9006EDG適用于功率開關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。
其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開關(guān)、逆變器和功率放大器等領(lǐng)域模塊，特別適合高功率要求的場(chǎng)景。