NT2955G-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

VBsemi

NTF2955T1G (VBJ2658)參數(shù)說(shuō)明  P溝道，-60V，-6.5A，導(dǎo)通電阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1~-3V，封裝  SOT223。
應(yīng)用簡(jiǎn)介  NTF2955T1G適用于低功率開(kāi)關(guān)和電流控制等領(lǐng)域。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝使其在緊湊場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊  適用于低功率開(kāi)關(guān)、電流控制和模擬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合緊湊型應(yīng)用的場(chǎng)景。