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第六屆中國(濟南)新動能創新創業大賽先進電子新材料與應用領域特色賽道決賽日程表出爐

發布時間:2023-11-10 12:01    發布者:科技新思路

第三代半導體產業具有廣闊的應用前景,已經成為全球半導體產業新的戰略競爭高地。為搶抓第三代半導體產業發展戰略機遇,培育發展新興產業,支持企業加大第三代半導體材料的研發和產能投入,引導上下游企業加強合作,濟南市積極布局第三代半導體材料、器件等技術研發和創新,打造國內領先的第三代半導體產業基地。

為了全面推動濟南市科技創新和產業轉型升級,加快建設“強新優富美高”新時代社會主義現代化強省會提供堅實的人才支撐,由中共濟南市委、濟南市人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦的“第六屆中國(濟南)新動能創新創業大賽先進電子新材料與應用領域特色賽道”自啟動以來,就受到產業內創業人才和項目的高度關注,經過組委會專家組的層層篩選,目前大賽決賽的19個入圍名單已經出爐,并將于11月10日在濟南東悅國際酒店進行最終的比拼,評選出本次活動的一、二、三等獎。

同時,為了積極為先進電子新材料與應用領域創業者搭建一個可以充分展示交流、投融資對接、創業創新政策推介的平臺,在本次大賽開幕式上,組委會還將邀請多名產業專家以及龍頭企業相關負責人做產業發展的主旨報告,為參加活動的創業項目和人才進行產業市場的干貨分享。

大賽開幕式議程:

本次大賽以“創新創業·筑夢泉城”為主題,活動共計吸引近70個全國各地優秀的先進電子材料類的創業項目報名參賽。決賽將邀請投資機構、龍頭企業、技術專業領域、知名高校等專業、重磅的嘉賓組成的評審團,圍繞大賽的評審規則為入圍項目現場打分,決賽現場采用“10+5”(10分鐘路演陳述+5分鐘評委提問)模式進行現場路演答辯,決賽將在11月10日下午和11月11日上午分兩場舉行。

決賽入圍項目介紹

1.腦控機械手在腦中風中的應用:專注于腦機接口領域,以腦電感知控制技術為核心技術的公司,基于這項技術,我們落地的一些智能硬件和穿戴硬件,通過大量的推廣智能硬件,我們不斷的采集用戶的數據,后臺不斷的運營個人的生活空間。我們打造一個開放的腦電應用平臺,運用這個腦電平臺來輔能其他的行業。腦控機械手:以腦控機械手解決腦中風患者的生活各種任務,方法是用新穎的傳感和機器學習技術,通過無創神經成像和一種新的連續追蹤范式,克服了嘈雜的腦電圖信號,顯著改善基于腦電圖的神經解碼,從而實現實時連續的機器人設備控制。

2.電子元器件的激光焊接精準溫控系統產業化:隨著電子器件微型化發展,如何保障焊接的質量是微電子產業的重要技術支撐。項目通過建立焊接工藝參數數據庫并設計焊接質量控制算法,實現激光焊接設備的智能控制,與同行業產品相比處于遙遙領先的地位。項目已開發自主知識產權的智能溫控激光軟釬焊設備,打造光電子器件加工與組裝生產線,在國內率先實現激光非接觸精密電子加工的恒溫控制,滿足物聯網、人工智能和無人駕駛等微電子集成電路的迫切需求,計劃進一步占領市場。

3.半導體拋光材料:碳化硅,氮化鎵等半導體材料晶圓的制備加工工序中,對晶圓材料的平坦化,高精度,表面粗糙度進行拋光加工的拋光材料。

4.深紫外LED芯片及光導纖維光觸媒產業化:深紫外LED代替汞燈是未來的發展趨勢,在醫療、消毒、凈化等領域有廣泛的應用前景。我司擁有兩大核心技術:深紫外LED 芯片技術和光導纖維光觸媒技術;深紫外LED芯片實驗室光電轉換效率達到8%,產業化達到了5%,居于國內領先行列,與日韓芯片相當。擁有公司核心專利的光導纖維光觸媒技術,在生長工藝有重大創新,與紫外LED結合,在消殺細菌、凈化有機物等方面展現高效率和高環保型,對未來提供人們生活品質具有重要意義。公司目前已導入宇通、江鈴、奇瑞等車企頭部企業和牧原等畜牧業頭部企業,且在合成革產業中取得重大技術突破,解決了困擾合成革企業的痛點、難點問題,公司正在打造面向全球的消毒凈化的解決方案和制造基地。

5.新一代車規級功率半導體研發和產業化:本項目是由來自ADI、聯合電子、DENSO、臺積電、世界先進、強茂等世界級的功率半導體專家聯合創辦,目標是打造世界級的車規級功率半導體IDM供應商。業務覆蓋Si/SiC/GaN基的模塊、芯片、新材料和晶圓設計和制造。目前已經完成世界級的IGBT和SiC模塊和器件,SiC-SBD器件和RC-IGBT芯片設計。其中兩款高功率IGBT產品性能全面超越國際一流水平,已經進入小批量驗證階段,并由多款適配國內外車型的SiC和IGBT產品定制化研發中。項目預期2026年實現年產值50億元。

6.鋁固態電池技術: 技術方案首先是電池工作時降低正負極片的電流值,解決電池的發熱問題,傳統新能源汽車電池內部電池電芯直接串聯,電池內部正負極芯很容易被高電壓金屬離子熱流所破壞、電池性能及壽命下降均來源于高溫熱離子流!其次改變電池的極性,通過電池電芯正負極穿插另外一個電芯的正極作為電解質控制晶枝的成晶方向,改變傳統電池正負極之間直接放一層隔膜的技術方案,充電電壓、電流較低,很難實現電池快充。再次,固態電解質與正負極之間界面采用導電活性劑組分解決阻抗過高難題,提升金屬離子固態電池固態電解質導電率。最后,成本問題。像鈉、鋁、鋅等金屬相比鋰金屬,成本就非常低,做出來的電池就非常親民。

7.超寬禁帶半導體氧化鎵材料及其功率器件:計劃進入高溫、高功率電子領域,提供創新的解決方案。我們的產品和服務將基于氧化鎵材料的優越特性,并應用于能源轉換、電力電子和智能電力系統等領域。我們致力于實現產品的商業化,并在市場中取得競爭優勢。

8.氮化鎵單晶襯底及設備產業化項目:實現第三代半導體高性能器件產業化和規模化應用的關鍵是要獲得價格合理的低缺陷密度GaN晶體基片。本項目南京大學技術團隊所擁有的高技術和低成本優勢在國內外是獨一無二的,技術領先、工藝成熟,已經具備大規模量產的條件。本項目旨在開發大尺寸GaN襯底的批量生產技術,在3年內實現低成本高質量GaN襯底的規模化生產,達到年產20萬片以上TIE-GaN的規模。本項目長遠目標是建成世界最大規模的氮化鎵襯底生產基地,提供GaN襯底以及集成GaN基光電子和微電子器件的晶片等,用于滿足中國乃至全世界在全固態照明、短波長激光器等信息技術的發展和功率電子器件等應用領域的需求。

9.基于MPCVD技術的金剛石晶體材料制備:本項目自主研制“微波等離子體化學氣相沉積設備(MPCVD)”,用其制備高品質人造金剛石晶體材料,包括大尺寸金剛石單晶和金剛石多晶薄膜。主要作為半導體材料、光學窗口材料、熱沉材料、鉆石毛坯等材料,應用于半導體、量子計算、軍工航天、大科學裝置、精密加工、鉆石首飾等領域。該項目致力于突破國外在大功率MPCVD設備方面的技術封鎖,解決功能性金剛石領域的“卡脖子”問題。本項目將不斷升級完善大功率MPCVD設備,在功能性金剛石材料的制備和應用領域進行不斷地研發和探索,保持技術優勢,把握市場,提前布局金剛石超寬禁帶半導體材料,將本項目打造成為國際知名的功能性金剛石材料生產商。

10.芯片可靠性應用驗證綜合評測項目:是一家集成電路檢測設備研發和生產、檢測解決方案咨詢、檢測服務和芯片評測為一體的綜合技術服務提供商,面向宇航、軍工、汽車級、工業級等行業客戶提供服務,具備異構多參數集成電路檢測設備敏捷開發、軟硬一體化全流程驗證仿真模擬平臺、多上位機陣列輔助開發驗證等多項芯片檢測驗證領域核心開發技術。公司成立以來已服務航空、航天、船舶、汽車等高可靠性要求的領域客戶50余家,檢測集成電路型號2000余種,覆蓋95%以上元器件品類,構建標準化、通用化,自動化、信息化,一站化應用驗證能力,為我國芯片國產化替代進程貢獻力量。

11.SERDES IP與CXL芯片項目:項目創始團隊成員包括三星AMD實驗室頂尖芯片架構專家、IEEE預備院士、前Intel首席科學家等,平均從業時間20年以上。團隊目前已有自主IP20余項、在申報發明專利2項、預備申報發明專利10余項;團隊具備先進制程經驗(3nm GAA~110nm),先進SERDES IP設計經驗、數十顆芯片從設計至流片經驗。已攻克國內首個驗證可用的RAID方案、國內首個CXL IP合作案例、國內首顆自主紅外ISP芯片案例、國內首顆自主USB3.2HUB芯片案例等,是國內唯三可進行SERDES IP定制化的企業。截止目前,公司營業收入數百萬元,已達成合同超2000萬元,正在進行天使輪融資及項目落地工作。

12.Micro-TEC半導體制冷片產業化項目:微型半導體制冷片Micro- TEC以其獨特的優勢和特點被廣泛應用于航天、軍工、紅外、工業、通信、電力、消費等諸多領域。 微型半導體制冷片Micro TEC可以實現0.01℃以內的主動溫度控制,是目前光通訊器件/模塊中實現精確溫度控制的唯一核心關鍵核心部件。

微型半導體制冷片Micro -TEC的廠家,主要為國外廠家,如杭州大和、日本小松、美國Phononic公司、俄羅斯RMT公司等等,占據中國75%以上的市場份額,且限制對中國企業銷售核心的熱電材料,國內沒有可以與之競爭的廠家。

13.基于PXGPU的超低功耗AOD-DDIC:"我們提出了全球獨創的解決方案來延長手機低電量時的續航時間

·發明了全新計算架構GPU(PXGPU),顛覆已沿用30多年的傳統GPU架構(基于幀緩存、流水線架構); 在空間維度/時間維度上實現了不同圖層圖元/不同區域圖元渲染的并行執行,實現了全球首創的無幀緩存、非流水線GPU架構,大幅降低GPU渲染、顯示帶寬及功耗。

·基于PXGPU,實現了全球獨創的解決方案AOD-DDIC芯片及全新的低功耗AOD交互模式,延長手機低電量時的續航時間。

·延長電話信息時間2倍, 延長刷碼支付時間5倍,延長導航時間5倍。

適用于所有手機平臺,市場規模巨大。"

14.HS-MCM碳化硅超高溫技術平臺:公司由五位清華大學電子系98級同班同學創立,前期已經過數輪上億元的融資,擁有自身的6英寸碳化硅芯片產線和電源厚膜工藝產線。公司致力于第三代半導體碳化硅芯片、模塊與系統,團隊成員在海外有16年以上的高溫電源經驗。項目從特殊行業(石油、軍工、航天)、特殊產品(基于碳化硅芯片的超高溫、小型化特種電源),特殊技術(HS-MCM異基底-混合集成芯片模組)切入,研發的230+℃超高溫特種開關電源已廣泛應用在國內石油井下勘探,超高溫特種電源領域填補了國產空白,并將技術原理復用到軍工、航天、電動汽車、光伏儲能等行業,為了實現這種極致碳化硅高溫系統,芯片也是公司特殊設計并在自己的芯片產線上流片。

15.全國產化射頻通信芯片研發及產業化:受國外芯片卡脖子限制,我國急需高端芯片填補空白,國外技術封鎖以及光刻機的斷供使得高性能電子通訊芯片突破十分困難,因此對于高性能光電融合通訊芯芯片來取代甚至超越純電子芯片就顯得十分重要。我們團隊全自主設計生產的高性能光電融合通訊芯片,具有光電集成、高速通訊、多波段切換,并單個芯片集成,可實現高性能通訊。光電融合通訊芯片可產生相位噪聲極低的高頻微波信號,在軍民領域均具有重要的應用,市場規模巨大,可成為第四次工業革命的把關者。

16.自主可控的通用、智能、精密、 集成化工業底層控制系統:公司在十幾年內建立了硬件、軟件完全獨立自主的知識產權的核心技術體系。核心技術全面覆蓋從檢測、工具應用到生產的所有環節,可應用在智能檢測、智能工業生產線、高精度機床、工業機器人、高精密儀器、精密測量運動平臺新能源汽車等工業領域。所有產品均已自我驗證,國內外均未有同類體系。精密智能化集成底層工業控制系統是完全自主體系下獨立研發完成的新的工業控制體系,并兼容現有PLC及PC控制體系。其實質為非PLC控制體系,也非基于PC的控制體系是獨立的新的工業底層控制體系(仍兼容PLC、PC體系)是基于新控制理論的國內外最優化控制。 可形成國際國內新技術標準、自主安全可控。

17.高可靠高性能自主可控電源管理芯片V9.0:專注宇航及軍工領域高可靠高性能自主可控電源管理芯片,致力于為航天、軍工、工業等領域客戶提供自主可控模擬芯片。核心團隊由北京大學、中科院、電子科大等優秀校友組成,深耕高可靠集成電路領域近二十年,在研發、產業化及產業鏈有深厚經驗,曾獲得國賽金獎、多項人才計劃A類等榮譽,多款產品在我軍裝備上得到大批量產業化應用,目前20款可批量化供貨,10款在研,2022年通過7至9款宇航級產品滿足85%以上衛星及飛行器電源管理需求,并成為航天五院、電科集團、國網智芯等一級或合格供方。2022年團隊同步依托現有技術、產品及企業優勢,拓展工業控制、汽車電子等物聯網、新基建需求萬億級市場

18.全球領先危險探測技術—解決方案提供商:我們是一家以納米傳感器技術為核心的產品技術服務提供商,我們的團隊研發納米傳感器領域20年,發明了一種小巧并靈敏度極高的傳感器裝置,并全球領先,目前我們已經完成了一代二代產品的訂單交付,三代產品形態和功能和以往不同,我們把我們的傳感器技術與世界領先的機器人技術相結合,制造出了擁有危險探測能力的智能裝備,探測領域主要是爆炸物和毒品,受到海外多國政府和客戶的喜愛,目前簽署了將近2個多億的海外預訂單,2023年我們準備進入中國市場,希望能在中國完成我們現有訂單的產業化生產,以及開展國際化的產學研合作。

19.氮化物外延片/芯片供應商:作為北京大學科技成果轉化、解決我國第三代半導體核心材料及器件技術問題的重點項目,致力于為國家和北京市第三代半導體產業發展做貢獻的示范企業。一期投資1.35億元,開發和生產氮化鎵基功率電子器件用大尺寸外延片(應用于移動通訊基站、大數據中心電源、消費類電子等領域)和高性能AlGaN基UVC-LED外延片和芯片產品(應用于消毒殺菌、水和空氣凈化、印刷、農業及醫療等領域)。中博芯多個產品性能指標達到國內領先、國際先進的水平,部分產品性能指標達到國際領先水平;產品已銷售至海外。預期滿產后主營業務收入2億元/年,利潤5000萬元/年。

此外,本屆大賽過程中特別強化交流互鑒,大賽瞄準了我國戰略性新興產業——先進電子新材料與應用領域,根據濟南當地的產業生態為參賽者搭建創新創業平臺,并邀請各地的優秀創業者參加,讓優秀的項目和人才聚焦濟南,并充分宣傳濟南在科技創新領域的人才政策和創新創業環境,讓科技人才在交流中增進對濟南產業生態的理解,促進政、企、金、研、學等多方面的交流互鑒,相互啟迪,激發創新火花。


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