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納米軟件帶你快速了解igbt好壞測(cè)試方法大全

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發(fā)表于 2023-11-9 15:53:19 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
  什么是IGBT?
  IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,在高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chǔ)能裝置和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。IGBT具有高輸入阻抗,低導(dǎo)通壓降,高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)。

  IGBT測(cè)試項(xiàng)目
  為了檢測(cè)IGBT的性能、穩(wěn)定性和可靠性,IGBT測(cè)試是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中的重要環(huán)節(jié)。通過(guò)測(cè)試可以發(fā)現(xiàn)早期潛在的問(wèn)題,從而提升其性能,讓用戶在使用過(guò)程中有良好的體驗(yàn)。IGBT測(cè)試的項(xiàng)目主要有:
  柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(TO)測(cè)試
  柵極-發(fā)射極漏電流IGES測(cè)試
  集電極-發(fā)射極截止電流ICES測(cè)試
  集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)測(cè)試
  開(kāi)通時(shí)間ton測(cè)試:開(kāi)通時(shí)間是開(kāi)通延遲時(shí)間與集電極電流上升時(shí)間之和。
  關(guān)斷時(shí)間toff測(cè)試:關(guān)斷時(shí)間是關(guān)斷延遲時(shí)間與電流下降時(shí)間之和。測(cè)試包含阻性負(fù)載和感性負(fù)載測(cè)試。
  恢復(fù)時(shí)間測(cè)試:是針對(duì)IGBT上反向續(xù)流二極管的恢復(fù)時(shí)間進(jìn)行測(cè)試。
  IGBT極性判斷方法
  用萬(wàn)用表快速檢測(cè)IGBT之前,先要確定IGBT的極性。
  柵極(G):萬(wàn)用表設(shè)置到R×1KQ位置,開(kāi)始測(cè)量。如果一極和另外兩極的電阻值是無(wú)窮大,更換表筆后該極和另外兩極的電阻值依然是無(wú)窮大,則此極是柵極。
  集電極(C)和發(fā)射極(E):用萬(wàn)用表測(cè)量剩下的兩極,如果被測(cè)電阻為無(wú)窮大,更換表筆后被測(cè)電阻變小,在第一次測(cè)量到小電阻值時(shí),判斷紅色表筆接集電極,黑色表筆接發(fā)射極。

  用萬(wàn)用表檢測(cè)IGBT好壞
  1. 設(shè)置萬(wàn)用表為R×1KQ(R×10KΩ),黑表筆接C極,紅表筆接E極,此時(shí)萬(wàn)用表指針在零位。
  2. 用手指同時(shí)觸及G極和C極,IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,好的IGBT會(huì)使萬(wàn)用表的指針指向某個(gè)電阻。
  3. 再用手觸及G極和E極,此時(shí)IGBT被阻斷,如果萬(wàn)用表指針回零,則判斷IGBT是好的。
  注意事項(xiàng):
  檢測(cè)時(shí)一定要將萬(wàn)用表設(shè)置在R×10KΩ,因?yàn)镽×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,在檢測(cè)過(guò)程中無(wú)法使IGBT導(dǎo)通,從而無(wú)法判斷IGBT的好壞。

  檢測(cè)IGBT好壞的其它方法
  1. 觀察外觀
  首先檢查IGBT外觀是否有物理?yè)p壞、燒焦或裂紋等情況。如果表面有可見(jiàn)的損壞,IGBT可能已經(jīng)損壞。
  2. 測(cè)試絕緣性
  用萬(wàn)用表電阻測(cè)量功能來(lái)測(cè)試IGBT的絕緣性。將萬(wàn)用表的正極連接到IGBT的集電極上,將負(fù)極連接到發(fā)射極或柵極上(具體連接方式根據(jù)IGBT的引腳結(jié)構(gòu)而定),如果顯示為無(wú)限電阻,則表示IGBT的絕緣性良好。如果顯示為導(dǎo)通或者具有很低的電阻值,那么IGBT可能存在絕緣性問(wèn)題。
  3. 溫度測(cè)試
  在正常操作條件下,通過(guò)紅外測(cè)溫儀或接觸式溫度計(jì)來(lái)測(cè)量IGBT的溫度。如果IGBT溫度異常升高,超過(guò)了正常工作溫度范圍,可能存在故障或問(wèn)題。
  4. 激活測(cè)試
  正常工作條件下,施加電壓來(lái)激活I(lǐng)GBT,并進(jìn)行相應(yīng)的電流和功率測(cè)試。在正確的電壓和電流下,如果IGBT無(wú)法正常工作、電流過(guò)大或功率損失較大,則可能存在問(wèn)題。
  5. 頻率響應(yīng)測(cè)試
  使用相應(yīng)的信號(hào)發(fā)生器示波器來(lái)測(cè)試IGBT的頻率響應(yīng)。通過(guò)施加不同頻率的信號(hào),并觀察輸出波形是否正常,如有任何畸變或失真,IGBT可能存在問(wèn)題。

  納米軟件ATECLOUD-IC芯片自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)可以測(cè)試二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅MCU、IGBT、各類(lèi)分立器件等集成電路測(cè)試,采用ns級(jí)高精度測(cè)試,提高測(cè)試效率。具體可了解:https://www.namisoft.com/Softwarecenterdetail/1220.html

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