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繼今年稍早宣布投入開發(fā)3D IC標(biāo)準(zhǔn)后，JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）表示，最快今年12月底或明年一月初，將可公布首個(gè)3D IC接口標(biāo)準(zhǔn)。 在GSA的3D IC工作小組于上周舉行的會議中，英特爾的Ken Shoemaker介紹了關(guān)于WideIO存儲器規(guī)范在電子和機(jī)械接口方面的細(xì)節(jié)。 JEDEC已開始發(fā)布3D IC標(biāo)準(zhǔn)──在2009年11月，該機(jī)構(gòu)便公布了針對采用過孔硅（TSV）技術(shù)的3D芯片堆疊所制定的JEP158標(biāo)準(zhǔn)。而即將問世的WideIO標(biāo)準(zhǔn)，看來似乎可望在SEMI、Sematech和Si2等推動(dòng)3D IC標(biāo)準(zhǔn)的競賽中取得領(lǐng)先。 業(yè)界人士普遍認(rèn)為，LPDDR2的頻寬會在WideIO存儲器商用化以前便遭市場淘汰。而在此期間，預(yù)計(jì)LPDDR3（即LPDDR2的下一代版本）將可支持更高的操作頻率，并提供比LPDDR2更低的功耗，以填補(bǔ)此一差距。800MHz的LPDDR3要比533MHz的LPDDR2多出50%以上的頻寬，但其引腳數(shù)卻與LPDDR2相當(dāng)。 
WideIO是由JEDEC工作小組JC42.6于2008年12月著手開發(fā)，主要是針對當(dāng)前在同一封裝中整合邏輯和DRAM，以降低互連電容的3D標(biāo)準(zhǔn)所開發(fā)。即將公布的規(guī)范定義了最多4個(gè)晶粒堆疊而成的存儲器立方體，可連接邏輯SoC，最大封裝尺寸為10x10x1mm。 針對WideIO的JC42.6規(guī)范了邏輯到存儲器接口（logic to memory interface， LMI），是由JEDEC旗下JC42.6 （Low Power DRAM）和JC11兩個(gè)委員會所共同制定，其中JC11主要負(fù)責(zé)芯片封裝的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)部份。在存儲器邏輯和存儲器之間的機(jī)械接口一般稱之為微型圓柱柵陣列（Micro Pillar Gate Array， MPGA）鏈接。 至于邏輯和存儲器之間的互連方式則并未指定，可以是微凸塊或微型圓柱（micro pillars）等。該標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)范了用于測試互連連續(xù)性的邊界掃描、后組裝階段的直接存取存儲器測試、存儲器芯片中的熱傳感器位置，以及芯片到芯片間接口的精確機(jī)械布局等。 此一標(biāo)準(zhǔn)并未指定存儲器到邏輯的互連設(shè)計(jì)或組裝方法。同時(shí)無論在存儲器或邏輯芯片上，也都并未針對TSV的尺寸及位置指定互連的精確位置。另外，存儲器和邏輯芯片的厚度、組裝方法和后組裝測試方法也都未指定。 WideIO的詳細(xì)規(guī)范包括： 如圖2所示，WideIO定義了4個(gè)存儲器通道，在LMI上有1，200個(gè)連接： - 每個(gè)通道都有6列和50行，共300個(gè)連接（193個(gè)信號）； - 40nm的小型襯底/凸塊/TSV間距； - 每通道寬128字節(jié)，總共512字節(jié)； - 每個(gè)通道均包含所有的控制、電源和接地通道 通道之間共享電源連接 - 每個(gè)通道均可獨(dú)立控制 獨(dú)立的控制、時(shí)脈和數(shù)據(jù) - 通道之間的引腳位址對稱 - 數(shù)據(jù)傳輸速率266mtps，SDR 總頻寬：17GB/s（每通道4.26GB/s）
圖2：LMI接口細(xì)節(jié) WideIO的布局規(guī)劃（floor plan）同時(shí)描述了可在組裝中針對機(jī)械強(qiáng)度和晶粒的共面性選擇支持凸塊或微型圓柱。而相容的底部填充膠則可用于減輕邏輯和存儲器晶粒之間的應(yīng)力，同時(shí)將熱均勻地分布在晶粒表面上。也可以使用一個(gè)硅中介層（interposer）作為第四個(gè)晶粒與邏輯SoC連接的接口，以因應(yīng)熱機(jī)械方面的挑戰(zhàn)。 由于DRAM的自我刷新速率會隨溫度而變化，因此必須密切注意存儲器-邏輯堆疊的熱管理。為了提高產(chǎn)品可靠度，在邏輯芯片熱點(diǎn)和DRAM內(nèi)的熱感測器之間的溫度三角洲都必須設(shè)法最小化。由于其采用的制程不同，DRAM和邏輯SoC設(shè)計(jì)小組必須緊密合作，在制造‘堆疊’芯片時(shí)互相交流資訊。這個(gè)設(shè)計(jì)小組可能必須要對熱點(diǎn)設(shè)計(jì)進(jìn)行權(quán)衡，然而，這部份交換資訊的方法卻由于JEDEC并未涉及而缺乏標(biāo)準(zhǔn)化。 三星的存儲器立方體 2011年2月，三星（Samsung）公布了首個(gè)用TSV實(shí)現(xiàn)的mobile DRAM，該存儲器帶有WideIO接口（鏈接），目前看來，該存儲器已經(jīng)符合了由JC42.6工作小組定義的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。事實(shí)上，三星也是JC42.6 WideIO工作小組的會員之一。
圖3：LMI接口的機(jī)械尺寸 其晶粒面積為64.34mm 2，比1GB的LPDDR2大了25%。整顆芯片是由4個(gè)對稱的4×64Mb陣列、周邊電路和微凸塊所構(gòu)成。為了降低功耗并支援高傳輸頻寬，該設(shè)計(jì)藉由采用44×6微凸塊襯底來減少I/O驅(qū)動(dòng)器加載。其微凸塊尺寸20 ×17μm，間距250μm。該公司的TSV孔徑7.5μm，電阻值0.22~0.24Ω，電容值47.4fF。
圖4：三星采用TSV實(shí)現(xiàn)的mobile DRAM，具備WideIO接口 三星并未公布其WideIO DRAM的可靠性資料。依目前生產(chǎn)TSV的成本結(jié)構(gòu)來看，要制造WideIO接口的元件顯然更加昂貴，不過，這個(gè)問題或許可藉由大量生產(chǎn)來解決。長遠(yuǎn)看來，該技術(shù)確實(shí)具備著降低成本及提供更高性能的潛力。 本文小結(jié) 對整合邏輯和存儲器的3D IC而言，首個(gè)針對WideIO的商用化標(biāo)準(zhǔn)至關(guān)重要。盡管技術(shù)上的創(chuàng)新從不停歇，但現(xiàn)階段在異質(zhì)堆疊元件的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)之間仍然缺乏可交換設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)。此外，降低成本和改善制程也是未來必須努力的主要方向。 本文感謝Ken Shoemaker提供LMI接口相關(guān)資訊。 作者簡介：MP Divakar是一位硅谷的工程師，專長于半導(dǎo)體后段、封裝、熱管理和測試等領(lǐng)域。除了設(shè)立兩家新創(chuàng)公司，他對IEEE通訊和電力電子協(xié)會貢獻(xiàn)良多。他也常在電子工程專輯美國網(wǎng)站發(fā)表評論。 |
