納米軟件為你科普IGBT動態測試的主要參數

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　　IGBT如今成為被廣泛應用的一款電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態測試參數是IGBT芯片測試一項重要內容，主要參數有開關參數、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
　　IGBT動態測試參數
　　IGBT動態測試參數是評估IGBT模塊開關性能的重要依據，其動態測試參數主要有：
　　1. 開通特性
　　開通時間T(on)：是開通延時時間Td(on)和上升時間Tr之和。
　　開通延時時間Td(on)：指從柵極電壓正偏壓的10%開始到集電極電流上升至最終值的10%為止的一段時間。
　　上升時間Tr：開通時，集電極電流上升至10%到集電極電流上升至最終值的90%為止的時間。
　　開通損耗E(on)：指開通過程中電壓、電流乘積在某一時間段內的積分。
　　2. 關斷特性
　　關斷時間T(off)：是關斷延時時間與下降時間之和。
　　關斷延時時間Td(off)：從柵極電壓下降至其開通值的90%開始到集電極電流下降到開通值的90%為止的一段時間。
　　下降時間Tf：關斷時，集電極電流從開通值的90%下降到10%之間的時間。
　　關斷損耗E(off)：關斷過程中電壓、電流乘積在某一時間段內積分。
　　3. 二極管恢復特性
　　反向恢復時間Trr：指反并聯二極管的電流從第一次0點到反向最大值再回到0點的這段時間。
　　反向恢復電流Irr：指反并聯二極管從通態向阻斷轉換的過程中，電流反向達到的最大電流值。
　　反向恢復di/dt：是反并聯二極管正向電流的50%到第一次降到0點這一段的電流斜率。
　　反向恢復電荷Qrr：是反并聯二極管的電流從第一次0點到第二次0點這段時間內的電荷量。
　　4. 柵極電阻
　　柵極電阻的大小直接影響著開關速度，從而會影響到IGBT芯片的開關損耗。柵極電阻包括：
　　內部柵極電阻(RGint)：內部柵極電阻是為了實現模塊內部IGBT芯片的均流。它是單獨柵極電阻并聯之后的值。
　　外部柵極電阻(RGext)：包括開通電阻(Rgon)和關斷電阻(Rgoff)。一般通過不同的充放電回路來設置不同的Rgon和Rgoff。
　　5. 寄生電容
　　寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性，它是影響IGBT芯片動態性能的重要因素。
　　6. 柵極電荷(Qg)
　　柵極電荷在實際設計中依賴于柵極電壓的擺動幅度。

　　動態測試是IGBT芯片測試中一項重要測試內容，而納米軟件ATECLOUD-IC芯片測試系統是一款自動化測試軟件，在IGBT動態測試中可以解放人力，提高測試速度和效率，并且也會提升測試數據的精準度。該系統支持批量測試功能和數據洞察功能，自動匯總數據并對其進行智能分析，圖表數據展現形式可以幫助用戶更清晰地觀察數據變化情況。并且用戶也可以選擇自己想要地報告模板，自定義數據報告，一鍵生成并導出。更多關于芯片測試系統可訪問：https://www.namisoft.com/Softwarecenterdetail/1220.html