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第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)器件的一項(xiàng)重要指標(biāo)就是導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間很短，顯著的優(yōu)勢(shì)是開關(guān)損耗很小，可以顯著提升電源的效率。 從電信號(hào)角度來說，開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間短就是信號(hào)的頻率很高，這種高壓高頻的電信號(hào)再加上浮地應(yīng)用，給研發(fā)和生產(chǎn)測(cè)試帶來了不小的難度。 隨著第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)滲透率的提升，產(chǎn)能提升將是面臨的最大挑戰(zhàn)，而動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，需要滿足三個(gè)基本要素：精準(zhǔn)、高效與可靠。 ●精準(zhǔn)，不僅需要測(cè)試設(shè)備在高頻高壓信號(hào)情況下具有足夠的準(zhǔn)確度，還要有足夠高的抗共模干擾能力； ●高效，就是指每一個(gè)半導(dǎo)體器件測(cè)試時(shí)間越短越好，這直接關(guān)系產(chǎn)能的大小； ●可靠，是指測(cè)試設(shè)備必須持續(xù)穩(wěn)定工作，不能在測(cè)試過程中出一些問題導(dǎo)致生產(chǎn)中斷； 麥科信公司在這種市場(chǎng)背景下，經(jīng)過持續(xù)的研發(fā)投入與技術(shù)創(chuàng)新，推出了基于 SigOFIT 專有技術(shù)的光隔離探頭。 SigOFIT 光隔離探頭 獨(dú)到的精度指標(biāo)與持續(xù)工作的穩(wěn)定性，使得 SigOFIT 系列光隔離探頭成為唯一可真正應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線的設(shè)備，而不只局限于實(shí)驗(yàn)室使用。 
SigOFIT 系列光隔離探頭的精度優(yōu)于同行兩倍以上，一旦開機(jī)投入使用，就無需校準(zhǔn)，持續(xù)穩(wěn)定工作并保持精度，完全滿足第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的精準(zhǔn)、高效和可靠的三個(gè)基本要素。 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試?yán)Ь?/strong> 一臺(tái)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備的測(cè)試項(xiàng)眾多，需要多達(dá)幾個(gè)甚至十幾個(gè)探頭才可完成全部測(cè)試，盡管SigOFIT光隔離探頭售價(jià)已經(jīng)低于進(jìn)口產(chǎn)品的四分之一，出于建設(shè)成本考量，大部分半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠僅僅將光隔離探頭用于測(cè)試上管的Vgs與Vds信號(hào)，相當(dāng)于把好鋼用在刀刃上。
下管的信號(hào)由于共模干擾小，希望采用成本更低的普通高壓差分探頭完成。 但由于第三代半導(dǎo)體的高頻特性，碳化硅需要350MHz以上帶寬、氮化鎵需要500MHz以上帶寬的探頭才可勝任測(cè)試工作。而這種高帶寬高壓差分探頭尚未實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自主化，一只進(jìn)口的400MHz帶寬的高壓差分探頭，市場(chǎng)公開價(jià)高達(dá)7萬(wàn)元人民幣以上，這給企業(yè)降本增效帶來了困難。 高壓差分探頭MDP系列 麥科信公司得益于光隔離探頭技術(shù)的積累，推出帶寬高達(dá) 500MHz 的高壓差分探頭，電壓分為700V，1500V，3000V 三個(gè)等級(jí)。
麥科信高壓差分探頭MDP系列具有超低底噪，優(yōu)秀的幅頻特性和業(yè)界更高的共模抑制比，一舉刷新所有指標(biāo)上限，全面領(lǐng)先國(guó)外同行，精巧的體積不到競(jìng)品的三分之一;為用戶節(jié)省成本考慮，預(yù)計(jì)售價(jià)在萬(wàn)元以內(nèi)。 新推出的高帶寬高壓差分探頭，共9個(gè)型號(hào)：
有了上述9個(gè)型號(hào)的加入，MDP系列高壓差分探頭的帶寬覆蓋 100MHz-500MHz，徹底改變了行業(yè)內(nèi)200MHz以上帶寬高壓差分探頭的稀缺局面，給國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)提供性能更好，性價(jià)比更高的理想選擇。 未來，麥科信將進(jìn)一步增加產(chǎn)品研發(fā)的投入力度，將創(chuàng)新作為核心驅(qū)動(dòng)力，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 |
