大聯大旗下友尚推出基于意法半導體（ST）VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的65W PD快充方案。
圖示1-大聯大友尚基于ST產品的65W PD快充方案的展示板圖 在5G、物聯網技術的不斷推進下，越來越多的移動電子設備涌入市場，為人們的生活帶來極大的便利。然而隨著用戶對移動設備的依賴性日益增強，高效的充電需求也與日俱增。在這種趨勢下，能夠提升充電速率的PD充電器迅速進入快車道，且市場發展前景廣闊。為助力廠商加快PD充電器的開發，大聯大友尚基于ST VIPERGAN65芯片推出65W PD快充方案，該方案具有緊湊設計的特點，可滿足手機、筆記本等移動設備的快充需求。
圖示2-大聯大友尚基于ST產品的65W PD快充方案的場景應用圖 VIPERGAN65是一款高壓轉換器，內部集成一個脈寬調制（PWM）控制器和一個650V增強型GaN功率晶體管，能夠在寬范圍內提供高達65W的輸出功率。并且具有低靜態電源管理可用于系統實現低待機功耗。不僅如此，VIPERGAN65內置多種能確保安全性和可靠性的功能，包括輸入電壓前饋補償、輸入/輸出過壓保護、電流檢測、以及上電和掉電保護，且所有保護均為自動重啟模式。 在外觀尺寸方面，VIPERGAN65采用5mm x 6mm QFN封裝，占地面積小、集成度高，能夠在確保卓越的功率密度的同時，節省物料成本（BOM）。此外，寬帶隙晶體管技術也能進一步提高能效并簡化熱管理設計。
圖示3-大聯大友尚基于ST產品的65W PD快充方案的方塊圖 本方案初級側主控芯片使用ST VIPERGNA65，次級側同步整流控制器使用ST SRK1001，協議芯片采用ST STUSB476QTR，輸出接口為主流的USB Type-C。憑著這些器件的出色性能，本方案能夠有效的提高充電效率，助力廠商迅速推出具有PD快充功能的充電產品。 核心技術優勢： 65W開發板優勢： 4個功率點平均效率：>92%； 空載待機功耗：<50mW（@230 VAC）； EMI符合IEC55022 B； VIPERGAN65集成650V氮化鎵MOS（GaN）可實現緊湊、簡化的PCB布局和減少BOM； 具有動態消隱時間和可調谷底同步延遲功能的QR，可在任意輸入線路和負載條件下最大化效率； 谷底鎖定； 輸入電壓前饋補償OPP； 頻率抖動可抑制EMI。 方案規格： 65W開發板規格： 輸入電壓：90~264VAC，頻率47~63Hz； 輸出電壓：單Type-C輸出5V~20VDC； 輸出功率：最大20V 3.25A@65W； 尺寸：70mm x 35mm x 25mm（長x寬x高）； 功率密度：>22 W/in3； 效率：符合歐盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求，230 VAC 65W時峰值效率>93%。 |
