NTHL067N65S3H，NVMFS005N10MCLT1G（晶體管）NVMFS5C670NLAFT1G，NVMFS014P04M8LT1G

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深圳市明佳達(dá)電子，星際金華（供應(yīng)及回收）原裝庫(kù)存器件！
【供應(yīng)，求購(gòu)】晶體管：NTHL067N65S3H，NVMFS005N10MCLT1G，NVMFS5C670NLAFT1G，NVMFS014P04M8LT1G。
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！


NTHL067N65S3H：N通道晶體管 通孔 650 V 40A（Tc） 266W（Tc） TO-247-3
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 3.9mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3750 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：266W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3
封裝/外殼：TO-247-3


NVMFS005N10MCLT1G：N通道晶體管 表面貼裝型 100V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18.4A（Ta），108A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.1 毫歐 @ 34A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3V @ 192μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），131W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線


NVMFS5C670NLAFT1G：N通道晶體管 表面貼裝型 60V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.1 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 53μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：61W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線


NVMFS014P04M8LT1G：P通道晶體管 40V 表面貼裝型 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 類型：P 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12.5A（Ta），52.1A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：13.8 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 420μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：26.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1734 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），60W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線