紅外發光二極管(Infrared Emitting Diode,簡稱IR LED)是一種能夠發射紅外光的二極管。它是一種特殊的發光二極管,其發射波長通常在700納米(近紅外)到1毫米(遠紅外)之間。
紅外發光二極管的工作原理與普通發光二極管類似,都是基于半導體材料的光電效應。當通電時,紅外發光二極管中的半導體材料會發生電子與空穴的復合,產生能量差,從而發射出紅外光。
紅外發光二極管的基本結構主要由P型半導體和N型半導體組成,兩者通過一個P-N結連接在一起。當正向電流流過二極管時,電子從N型半導體向P型半導體流動,空穴從P型半導體向N型半導體流動。當電子與空穴在P-N結的附近復合時,能量差被釋放出來,形成光子。
紅外發光二極管的發射波長取決于所使用的半導體材料。常見的半導體材料有砷化鎵(GaAs)、砷化鋁(AlAs)、砷化磷(InP)等。不同的半導體材料具有不同的能帶結構和能級分布,從而決定了其發射波長。
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