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雖然芯片制程方面一直在飛速進(jìn)步，不過自從進(jìn)入0.18微米（180nm）時(shí)代CPU核心電壓降至 1.xV級別后，即使是目前實(shí)際生產(chǎn)用最新的28nm制程也只能使核心電壓維持在1V左右。“高”電壓帶來的功耗問題也使移動(dòng)計(jì)算方面處處受限，目前智能手機(jī)、平板電腦等最大的問題之一就是功耗和續(xù)航。而芯片電壓之所以無法突破1V的重要原因之一就是低壓無法驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的SRAM模塊。不過上周富士通半導(dǎo)體和美國SuVolta公司開發(fā)的新制程卻可以使電壓閾值下降至0.4V左右。 SoVolta開發(fā)的DDC晶體管制造的576Kb SRAM模塊最低可在0.425V電壓下工作，相比目前常用SRAM最低0.7V左右的工作電壓減少了40%左右。相對于效果類似的ETSOI和Tri-Gate制程，SuVolta與富士通的這種技術(shù)更加簡便易行。 富士通半導(dǎo)體計(jì)劃繼續(xù)改進(jìn)此技術(shù)，并應(yīng)客戶要求將低功耗特性全面導(dǎo)入對應(yīng)的產(chǎn)品中，對于逐漸SoC化的移動(dòng)處理器來說這的確是個(gè)不錯(cuò)的消息。 
DDC晶體管與普通晶體管的閾值電壓對比 |
