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英特爾稱已開始在實驗室測試14納米工藝芯片

發布時間:2011-12-13 15:05    發布者:nansaudi
關鍵詞: 3D , 處理器 , 晶體管
新浪科技訊 北京時間12月13日上午消息,英特爾(微博)北歐地區總經理帕特·布萊默(Pat Bliemer)表示,其14納米制程工藝芯片已經完成設計,進入實驗室測試。

  英特爾計劃在明年一季度開始生產下一代22納米工藝Ivy Bridge架構處理器,新工藝將幫助英特爾保持對競爭對手AMD、ARM的領先優勢。

  為了完成Ivy Bridge處理器設計,英特爾創建了一種新架構,它使用了名為“Tri-gate”的3D晶體管技術。這種多維電子元件通過更緊密的設計加強處理器的熱設計功耗指標。英特爾還將這種設計技術利用到了更加高效的14納米制程工藝中。

  盡管更小的設計增加了生產復雜度,但英特爾認為他們正有條不紊的將這種新技術應用到生產過程中。

  “我只能說(14納米)芯片已經進入實驗室階段,不能披露更多信息,”布萊默稱,“我們的工程師確實找到了測試和生產14納米芯片產品的方法。”(曉明)
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