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第四代器件，提高額定功率和功率密度，降低導通和開關損耗，從而提升能效 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業和計算應用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導通電阻比前代器件降低48.2%，同時導通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數是650 V MOSFET在功率轉換應用中的重要優值系數（FOM）。 
Vishay豐富的MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進高科技設備。隨著SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發布，Vishay可在電源系統架構設計初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求，包括功率因數校正（PFC）和后面的DC/DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務器、邊緣計算和數據存儲；UPS；高強度放電（HID）燈和熒光鎮流器；太陽能逆變器；焊接設備；感應加熱；電機驅動；以及電池充電器。 SiHP054N65E采用Vishay先進的高能效E系列超級結技術，10V下典型導通電阻僅為0.051 Ω，從而提高額定功率支持 2 kW以上的各種應用，器件滿足符合開放計算項目Open Rack V3（ORV3）標準的需求。此外，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC。器件的FOM 為3.67 Ω*nC，比同類接近的競品MOSFET 低1.1 %。這些參數表明導通和開關損耗降低，從而達到節能效果，提高能效。器件滿足服務器電源鈦效應的特殊要求，或通信電源達到96%的峰值效率。 日前發布的MOSFET有效輸出電容 Co(er) 和Co(tr) 典型值分別僅為115 pF和 772 pF，可改善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。器件的電阻與 Co(tr) 乘積FOM低至5.87 *pF達到業內先進水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。 SiHP054N65E現可提供樣品并已實現量產，關于供貨周期的信息，請與當地銷售部聯系。 |
