東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業設備的高效率和小型化

發布時間：2023-8-29 19:57 發布者：eechina

關鍵詞：雙碳化硅 , MOSFET模塊 , MG250YD2YMS3 , 2200V

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

類似上述的工業應用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款2200V產品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開通和關斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗，用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統的三電平電路，有助于設備的小型化。

東芝將不斷創新，持續滿足市場對高效率和工業設備小型化的需求。

 應用：
工業設備
- 可再生能源發電系統（光伏發電系統等）
- 儲能系統
- 工業設備用電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等設備

 特性：
- 低漏極-源極導通電壓（傳感器）：
VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）
- 低開通損耗：
Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
- 低關斷損耗：
Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）
- 低寄生電感：
LsPN＝12nH（典型值）

 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號				MG250YD2YMS3
東芝封裝名稱				2-153A1A
絕對	漏源電壓VDSS（V）			2200
最大	柵源電壓VGSS（V）			-2.5
額定值	漏極電流（DC）ID（A）			250
	漏極電流（脈沖）IDP（A）			500
	結溫Tch（℃）			150
	絕緣電壓Visol（Vrms）			4000
電氣	漏極-源極導通電壓（傳感器）：	ID＝250A、VGS＝＋20V、	典型值	0.7
特性	VDS(on)sense（V）	Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極導通電壓（傳感器）：	IS＝250A、VGS＝＋20V、	典型值	0.7
	VSD(on)sense（V）	Tch＝25℃	典型值	0.7
	源極-漏極關斷電壓（傳感器）：	IS＝250A、VGS＝－6V、	典型值	1.6
	VSD(off)sense（V）	Tch＝25℃	典型值	1.6
	開通損耗	VDD＝1100V、	典型值	14
	Eon（mJ）	ID＝250A、Tch＝150℃	典型值	14
	關斷損耗		典型值	11
	Eoff（mJ）		典型值	11
	寄生電感LsPN（nH）		典型值	12

注：
[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。
[2] 測量條件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃
[3] 測量條件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃
[4] 截至2023年8月，東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發表的論文做出的預估）。

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
MG250YD2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... l.MG250YD2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息，請訪問以下網址：
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage. ... -power-devices.html

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