襯底芯片的尺寸也是業界非常重視的一個方向。國際主流碳化硅制造商已經進入8英寸時代,國內企業也在追趕。由于化合物半導體芯片的成本相對較高,使用電子顯微鏡在不破壞整個芯片的情況下完成常規檢測甚至失效分析,可以降低分析成本,提高檢測效率,因此是眾多廠商尋求的解決方案。 今天將為您介紹蔡司電子顯微鏡解決方案如何實現低成本高效率的工藝驗證和晶圓檢測。 Near-line分析利器 蔡司場發射掃描電子顯微鏡和雙光束電子顯微鏡可配備超大型樣品室、載物臺和氣閘交換室,可兼容高達8英寸的硅片,實現硅片任意位置整片無開裂橫截面、TEM制樣、SEM成像等任務 襯底、外延生長或芯片制造的常規過程控制通常需要分析芯片上的多個特征位置。蔡司場發射掃描電子顯微鏡或雙束電子顯微鏡可以設置定制的自動化流程,在硅片上的多個固定位置進行自動圖像調整、聚焦和采集,或者使用一束聚焦離子束完成自動樣品制備。降低工作過程中的運營成本和人工成本。同時,通過人工智能技術可以實現更智能的圖像處理和測量。 樣品導電性差如何解決? 在半絕緣碳化硅襯底或其他導電性較差的化合物半導體芯片上進行顯微分析時,容易遇到樣品中電荷積累導致的圖像漂移和變形、對比度差等一系列問題。蔡司場發射掃描電子顯微鏡的NanoVP可變氣壓模式可以消除充電效應的不利影響,實現低真空下的高分辨率成像,操作簡便,無需復雜的校準過程。 大尺寸芯片分析平臺、自動化工作流程和非導電樣品成像技術為新興基板和上下游制造商提供了巨大的價值。新能源、軌道交通、消費電子等下游應用的強勁需求,推動了我國第三代半導體產業的快速發展。占據著越來越重要的地位,未來蔡司將陸續推出更多與功率和化合物半導體相關的檢測解決方案。如需選購蔡司產品,可訪問www.ameya360.com!
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