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半導(dǎo)體爭(zhēng)霸 三星難敵英特爾

發(fā)布時(shí)間:2011-12-7 14:52    發(fā)布者:nansaudi
關(guān)鍵詞: DRAM , NAND
韓國(guó)的三星電子(SamsungElectronics)在高科技領(lǐng)域攻城掠地,搶下許多市場(chǎng)占有率全球第一的寶座。以半導(dǎo)體的領(lǐng)域而言,三星電子在記憶體方面獨(dú)占鰲頭,三星電子在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要企圖是能夠超越美國(guó)英特爾(Intel)公司,成為全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額最高的公司。

  
  三星電子近幾年來(lái),在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面的表現(xiàn)相當(dāng)優(yōu)異,營(yíng)業(yè)額穩(wěn)穩(wěn)地占住全球第2的位置,雖然與第1名的英特爾仍有些距離,不過(guò)差距逐年縮小,似乎超越英特爾的日子愈來(lái)愈近。可惜的是今年的結(jié)果,可能會(huì)讓三星電子大失所望,因?yàn)閮烧郀I(yíng)業(yè)額的差距不減反增。

  
  英特爾營(yíng)業(yè)額大躍進(jìn)
  

  今年英特爾的半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額估達(dá)496.9億美元,較去年成長(zhǎng)23%,全球市占率高達(dá)15.9%。三星電子今年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額可達(dá)292.4億美元,較去年僅小幅成長(zhǎng)3%,全球市占率為9.3%。以這兩家公司全球市占率的差距來(lái)看,今年兩者的差距為6.6%,較去年的3.9%大幅擴(kuò)張。

  
  今年半導(dǎo)體市場(chǎng)先盛后衰,整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)低迷,英特爾能夠脫穎而出,主要賴(lài)它的主力產(chǎn)品微處理器及NAND快閃記憶體皆為今年的熱門(mén)產(chǎn)品,加上英特爾購(gòu)并英飛凌(Infineon)的無(wú)線通訊部門(mén),都有助于英特爾公司營(yíng)業(yè)額的成長(zhǎng)。

  
  三星電子是NAND快閃記憶體的龍頭廠商,同時(shí)它在無(wú)線通訊處理器及顯示器驅(qū)動(dòng)器方面,皆有很高的市占率,這些產(chǎn)品今年的市場(chǎng)表現(xiàn)都不錯(cuò)。可惜的是今年DRAM(DynamicRandomAccessMemory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)市場(chǎng)表現(xiàn)不佳,預(yù)估全球DRAM營(yíng)業(yè)額將較去年衰退27%,三星電子是DRAM的霸主,因此在DRAM市況低迷情況下,拖累它在半導(dǎo)體的整體表現(xiàn),今年只能達(dá)成3%的成長(zhǎng)率。
  

  DRAM市況低迷拖累

  
  今年以記憶體為主要產(chǎn)品的半導(dǎo)體公司營(yíng)業(yè)額皆較去年衰退,韓國(guó)的海力士(Hynix)今年的營(yíng)業(yè)額預(yù)估為89.1億美元,較去年衰退14.2%。美國(guó)的美光(Micron)科技今年的營(yíng)業(yè)額預(yù)估為73.4億美元,較去年衰退17.3%。日本的爾必達(dá)(Elpida)今年?duì)I業(yè)額預(yù)估為38.5億美元,較去年大幅衰退40.2%。

  
  對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,大型公司占有重要的地位,以今年預(yù)估的營(yíng)業(yè)額來(lái)看,全球前10大半導(dǎo)體公司的營(yíng)業(yè)額占整體產(chǎn)業(yè)的51.4%,前20大半導(dǎo)體公司的營(yíng)業(yè)額合占整體產(chǎn)業(yè)的65.2%。因此從前20大半導(dǎo)體公司的表現(xiàn),可窺見(jiàn)今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的情況。

  
  預(yù)估今年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額將可達(dá)3128億美元,較去年的3070億美元成長(zhǎng)1.9%,雖然成長(zhǎng)幅度很小,但是在經(jīng)濟(jì)景氣詭譎多變的情況下,半導(dǎo)體市場(chǎng)仍然能夠維持正成長(zhǎng),已是相當(dāng)難能可貴。
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