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高隔離度、HMC8038LP4CE、HMC7992LP3DETR、HMC536LP2E 無(wú)線(xiàn)射頻(RF)優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

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發(fā)表于 2023-8-22 17:55:13 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
明佳達(dá)電子、星際金華(供應(yīng)、回收)高隔離度、HMC8038LP4CE、HMC7992LP3DETR、HMC536LP2E 無(wú)線(xiàn)射頻(RF)開(kāi)關(guān) IC,如有興趣,請(qǐng)您聯(lián)系陳先生qq 1668527835 咨詢(xún)。
一、HMC8038LP4CE,射頻開(kāi)關(guān) IC 手機(jī) SPDT 6 GHz 50 歐姆 16LFCSP
概述:
HMC8038是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)芯片,采用無(wú)引腳、表貼封裝。 該開(kāi)關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點(diǎn)。 擁有高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力,并提供針對(duì)35 dBm的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內(nèi)電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設(shè)為邏輯高電平將該開(kāi)關(guān)置于全部關(guān)斷狀態(tài),其中RFC為反射式。


射頻類(lèi)型:手機(jī)
拓?fù)洌何?/font>
電路:SPDT
頻率范圍:100MHz ~ 6GHz
隔離:60dB
插損:0.8dB
測(cè)試頻率:100MHz,6GHz
P1dB:36dBm
IIP3:60dBm
特性:-
阻抗:50 歐姆
電壓 - 供電:3.3V ~ 5V
工作溫度:-40°C ~ 105°C
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-VQFN 裸露焊盤(pán),CSP
供應(yīng)商器件封裝:16-LFCSP(4x4)
基本產(chǎn)品編號(hào):HMC8038


二、HMC7992LP3DETR 是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、單刀四擲(SP4T)硅開(kāi)關(guān),采用無(wú)引腳、表貼封裝。 該開(kāi)關(guān)適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,提供45 dB(典型值)的高隔離度(2 GHz)和0.6 dB的低插入損耗(2 GHz)。 它提供高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力,在5 V工作電壓時(shí)提供35 dBm的1 dB壓縮點(diǎn)(P1dB)輸入功率。 HMC7992具有0.1 GHz以下的良好低頻輸入功率處理能力,可在10 kHz以下頻率工作,具有21 dBm的典型1 dB壓縮以及37 dBm IIP3 (1 MHz)。
詳細(xì)描述:射頻開(kāi)關(guān) IC 手機(jī) SP4T 6 GHz 50 歐姆 16-LFCSP
射頻類(lèi)型:手機(jī)
拓?fù)洌何?/font>
電路:SP4T
頻率范圍:100MHz ~ 6GHz
隔離:30dB
插損:1dB
測(cè)試頻率:6GHz
P1dB:35dBm
IIP3:58dBm
特性:-
阻抗:50 歐姆
電壓 - 供電:3.3V ~ 5V
工作溫度:-40°C ~ 105°C
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤(pán),CSP
供應(yīng)商器件封裝:16-LFCSP(3x3)
基本產(chǎn)品編號(hào):HMC7992


三、HMC536LP2E,RF開(kāi)關(guān) IC WiMAX / WiBro SPDT 6 GHz 50 歐姆 6-DFN
器件介紹:
HMC536LP2(E)是一款DC至6 GHz GaAs MMIC T/R開(kāi)關(guān),采用無(wú)引腳2x2 mm DFN LP2表貼封裝,帶有裸露接地焊盤(pán)。 該開(kāi)關(guān)非常適合蜂窩、WiMAX和WiBro接入點(diǎn)和用戶(hù)應(yīng)用,具有0.6 dB的低插入損耗和+54 dBm的高輸入IP3。 該開(kāi)關(guān)在6 GHz上提供出色的功率處理性能,并且P0.1dB壓縮點(diǎn)分別為+29 dBm (+3V)和+33 dBm(+5V控制電壓)。 片內(nèi)電路可在很低的DC電流下實(shí)現(xiàn)0/+3V或0/+5V的正電壓控制。 HMC536LP2(E)占用面積僅為4 mm2,非常適合需要小尺寸的應(yīng)用。


優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn):
輸入P0.1dB: +33 dBm (+5V)
插入損耗: 0.6 dB
正控制電壓: +3V或+5V
隔離: 27 dB
2x2 mm無(wú)引腳DFN
SMT封裝,4 mm2


應(yīng)用:
蜂窩/PCS/3G基礎(chǔ)設(shè)施
WiMAX、WiBro和固定無(wú)線(xiàn)
CATV/CMTS
測(cè)試儀器儀表
注:本文部分內(nèi)容來(lái)源于網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除!

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