意法半導體宣布量產氮化鎵器件PowerGaN

發布時間：2023-8-3 10:00 發布者：eechina

來源：全球半導體觀察整理

8月3日，意法半導體官微宣布，公司最近已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件。

據介紹，STPOWER™ GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT™晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。據悉，SGT120R65AL和SGT65R65AL現已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

意法半導體的G-HEMT器件將加速功率轉換系統向GaN寬帶隙技術過渡。意法半導體表示，未來，GaN還有望實現新的功率轉換拓撲結構，進一步提高能效，并降低功耗。

此外，接下來幾個月內，意法半導體還將推出新款PowerGaN產品，即車規器件，以及更多的功率封裝形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。

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