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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

發布時間：2023-8-1 11:54    發布者：百盛電子666
關鍵詞： TDM3478 , MOS管
概述
TDM3478使用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中使用。

一般說明
RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
  RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
高功率和電流處理能力
ESD保護
表面安裝包
無鉛和綠色設備可用（RoHS兼容）

應用
WM應用程序
負載交換機
電源管理
供電系統


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