Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車規格的碳化硅 (SiC) MOSFET，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列 N 信道 MOSFET 產品可滿足市場對 SiC 解決方案不斷增長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV) 車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器 (OBC)、高效 DC-DC 轉換器、馬達驅動器及牽引變流器。
DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范圍內安全可靠地運作，其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (Vgs) 為 +15/-4V，且在 15Vgs 時具有 75mΩ (典型值) 的 RDS(ON)規格。此裝置適用于 OBC、汽車馬達驅動器、EV/HEV 中的 DC-DC 轉換器以及電池充電系統。 DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運作，且在 15Vgs 時具有較低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此 MOSFET 適用于其他 EV/HEV 子系統中的馬達驅動器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉換器。憑借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產品應用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運作。 這兩款產品均有低導熱率 (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的汲極 (Drain) 電流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q 的汲極電流高至 100A。此系列也內建快速且穩健的本體二極管 (Body Diodes)，具有低反向復原電荷 (Qrr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中為 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中為 317.93nC，因此能夠執行快速切換，同時降低功率損耗。 Diodes 采用平面制造技術開發出全新 MOSFET，能在汽車產品應用中提供強大與可靠的效能，提高汲極電流、崩潰 (Breakdown) 電壓、接面溫度及功率環形電路，表現優于先前發布的版本。此系列裝置采用 TO247-4 (WH 型) 封裝，提供額外的凱氏感測 (Kelvin-sensing) 接腳。可連接至源極以優化切換效能，實現更高的功率密度。 DMWSH120H90SM4Q 與 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 標準，由 IATF 16949 認證的設施制造，并支持 PPAP 文件。 |
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