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來源：全球半導體觀察整理 據(jù)西電廣州第三代半導體創(chuàng)新中心消息顯示，近日，在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上，西安電子科技大學廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術研究中心”項目成功簽約。 據(jù)悉，該項目由廣州第三代半導體創(chuàng)新中心團隊與新加坡ICCT展開合作，圍繞第三代半導體射頻器件、電力電子器件等產(chǎn)業(yè)需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術研發(fā)能力為目標，聚力開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)前沿需求的先進封裝技術，推進國內(nèi)領先性能的第三代半導體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進程，力爭快速實現(xiàn)產(chǎn)品工程化。 公開資料顯示，第三代半導體氮化鎵材料具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優(yōu)的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價。業(yè)界多位人士看好氮化鎵的發(fā)展前景，英飛凌認為，未來GaN的全球使用量將會大大超過SiC，并且在多個領域取代SiC的應用，尤其是到了2030年。 官方資料顯示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （簡稱“ICCT”）由Yew Chee Kiang(楊志強)博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導體封裝材料和封裝技術服務的企業(yè)。 |
| 碳化硅MOS管國產(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V，后續(xù)推出6500V。 http://m.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html 擁有全自主知識產(chǎn)權，已申請25項專利技術，采用6英寸技術。 |
