氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術研究中心在廣東簽約

發布時間：2023-7-10 08:59 發布者：eechina

來源：全球半導體觀察整理

據西電廣州第三代半導體創新中心消息顯示，近日，在廣東-新加坡合作理事會第十三次會議上，西安電子科技大學廣州研究院與新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下簡稱“ICCT”）合作共建的“氮化鎵器件和集成電路先進封裝技術研究中心”項目成功簽約。

據悉，該項目由廣州第三代半導體創新中心團隊與新加坡ICCT展開合作，圍繞第三代半導體射頻器件、電力電子器件等產業需求，以大幅提升QFN、陶瓷封裝、金屬封裝等封裝技術研發能力為目標，聚力開發滿足產業前沿需求的先進封裝技術，推進國內領先性能的第三代半導體射頻器件、電力電子器件及其模塊的研制進程，力爭快速實現產品工程化。

公開資料顯示，第三代半導體氮化鎵材料具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更優的抗輻照能力，使得其在功率器件、射頻器件、光電器件領域大有作為。隨著5G通信、消費電子、新能源汽車、數據中心等高景氣度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提價。業界多位人士看好氮化鎵的發展前景，英飛凌認為，未來GaN的全球使用量將會大大超過SiC，并且在多個領域取代SiC的應用，尤其是到了2030年。

官方資料顯示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （簡稱“ICCT”）由Yew Chee Kiang(楊志強)博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半導體封裝材料和封裝技術服務的企業。

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