[IC芯片] STM32F401VCT6，STM32F401VCH6，FDMT80060DC，MX66L2G45GXRI00（供應，回收）

Mingjiada

一、STM32F401VCT6：微控制器 IC 32 位單核 84MHz 256KB（256K x 8） 閃存 100-LQFP
核心處理器：ARM® Cortex®-M4
內核規格：32 位單核
速度：84MHz
I/O 數：81
程序存儲容量：256KB（256K x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：64K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 16x12b
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-LQFP
供應商器件封裝：100-LQFP（14x14）

二、STM32F401VCH6：微控制器 IC 32 位單核 84MHz 256KB（256K x 8）閃存 100-UFBGA
核心處理器：ARM® Cortex®-M4
內核規格：32 位單核
速度：84MHz
I/O 數：81
程序存儲容量：256KB（256K x 8）
程序存儲器類型：閃存
RAM 大小：64K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.7V ~ 3.6V
數據轉換器：A/D 16x12b
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-UFBGA
供應商器件封裝：100-UFBGA（7x7）

三、FDMT80060DC：N-通道 60 V 43A（Ta），292A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 表面貼裝
產品說明：FDMT80060DC 是60 V、292 A、1.1 mΩ MOSFET - N溝道晶體管。
FDMT80060DC 產品特征：
在 VGS = 10 V、ID = 43 A 時，最大 rDS(on) = 1.1 m
在 VGS = 8 V、ID = 37 A 時，最大 rDS(on) = 1.3 m
先進的封裝和硅組合實現了低rDS(on)和高能效
新一代增強型體二極管技術，專為軟恢復而設計
扁平的8x8毫米MLP封裝
MSL1穩健的封裝設計
100%通過UIL測試

四、MX66L2G45GXRI00：FLASH - NOR 存儲器 IC 2Gb SPI - 四 I/O，DTR 166 MHz 24-CSPBGA（6x8）
存儲器類型： 非易失  
存儲器格式： 閃存  
技術： FLASH - NOR  
存儲容量： 2Gb  
存儲器組織： 256M x 8  
存儲器接口： SPI - 四 I/O，DTR  
時鐘頻率： 166 MHz  
寫周期時間 - 字，頁： 40ms，1.5ms  
電壓 - 供電： 2.7V ~ 3.6V  
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  
安裝類型：表面貼裝型  
封裝/外殼： 24-TBGA  
供應商器件封裝： 24-CSPBGA（6x8）

深圳市明佳達電子，星際金華長期（供應及回收）原裝庫存器件！
（供求芯片）STM32F401VCT6，STM32F401VCH6，FDMT80060DC，MX66L2G45GXRI00。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！