AMEYA360：羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

發布時間：2023-6-19 15:13 發布者：Ameya360

關鍵詞：羅姆

　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。

　　特性

　　》650V E模式GaN FET

　　》低導通電阻

　　》高速開關

　　》內置ESD保護

　　》高度可靠的設計

　　》幫助減少電源轉換效率和尺寸

　　》出色的散熱性能

　　》符合RoHS標準

　　應用

　　》高開關頻率轉換器

　　》高密度轉換器

　　規范

　　》GNP1070TC-Z

　　》DFN8080K封裝類型

　　》連續漏極電流范圍：7.3A至20A

　　》脈沖漏極電流范圍：24A至66A

　　》漏源電壓：650V

　　》瞬態漏源電壓：750V

　　》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

　　》瞬態柵源電壓：8.5V

　　》+25℃時功耗：56W

　　》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值)

　　》輸入電容：200pF(典型值)

　　》輸出電容：50pF(典型值)

　　》輸出電荷：44nC

　　》總柵極電荷：5.2nC(典型值)

　　》典型接通延遲時間：5.9ns

　　》典型上升時間：6.9ns

　　》典型關閉延遲時間：8.0ns

　　》典型下降時間：8.7ns

　　》GNP1150TCA-Z

　　》DFN8080AK封裝樣式

　　》連續漏極電流范圍：5A至11A

　　》脈沖漏極電流范圍：17A至35A

　　》漏源電壓：650V

　　》瞬態漏源電壓：750V

　　》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

　　》瞬態柵源電壓：8.5V

　　》+25℃時功耗：62.5W

　　》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值)

　　》輸入電容：112pF(典型值)

　　》輸出電容：19pF(典型值)

　　》輸出電荷：18.5nC

　　》典型總柵極電荷：2.7nC

　　》典型接通延遲時間：4.7ns

　　》典型上升時間：5.3ns

　　》典型關閉延遲時間：6.2ns

　　》典型下降時間：8.3ns

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