|
作者：Doug Mercer，顧問研究員和Antoniu Miclaus，ADI公司系統(tǒng)應(yīng)用工程師 目標 本實驗活動的目標是進一步強化上一個實驗活動“ADALM2000實驗：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能”中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。 背景知識 為了在本實驗活動中構(gòu)建邏輯功能，需要使用ADALP2000模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對互補MOSFET組成，如圖1所示。每對共用一個共柵（引腳6、3和10）。所有PMOSFET（正電源引腳14）以及NMOSFET（地引腳7）的襯底都共用。左邊的互補MOSFET對，NMOS源極引腳連接到NMOS襯底（引腳7），PMOS源極引腳連接到PMOS襯底（引腳14）。另外兩對均為通用型。右邊的互補MOSFET對，NMOS的漏極引腳連接到PMOS的漏極引腳，即引腳12。 
圖1.CD4007功能框圖。 CD4007是一款多功能IC，我們在上一個實驗活動中已有所了解。例如，單個CD4007可用于構(gòu)建一個反相器鏈（包括三個反相器）、一個反相器加上兩個傳輸門或其他復(fù)雜的邏輯功能，如NAND和NOR門。反相器和傳輸門尤其適合構(gòu)建D型鎖存器或主/節(jié)點觸發(fā)器。 靜電放電 CD4007與許多CMOS集成電路一樣，很容易被靜電放電損壞。CD4007包括二極管，可防止其受靜電放電的影響，但如果操作不當仍可能會損壞。使用對靜電敏感的電子產(chǎn)品時，通常會使用防靜電墊和腕帶。然而，在家里（正規(guī)的實驗環(huán)境之外）工作時，可能沒有這些物品。避免靜電放電的一種低成本方法是在接觸IC之前先使自己接地。在操作CD4007之前，使積聚的靜電放電將有助于確保在實驗過程中不會損壞芯片。 材料 ► ADALM2000主動學習模塊 ► 無焊試驗板 ► 1個CD4007（CMOS陣列） ► 2個ZVN2110A NMOS晶體管 ► 2個ZVP2110A PMOS晶體管 說明 現(xiàn)在我們將結(jié)合使用之前練習中的反相器鏈構(gòu)建的雙傳輸門來構(gòu)建D型鎖存器，如圖2所示。兩個傳輸門協(xié)同工作以實現(xiàn)D型鎖存器。在鎖存器的透明模式下，當CLK=0時，第一個傳輸門（左）打開，同時第二個傳輸門（右）關(guān)閉。D通過第一個傳輸門和兩個串聯(lián)的反相器傳輸至輸出端(Q)。在鎖存器的保持模式下，當CLK=1時，第一個傳輸門關(guān)閉，但第二個傳輸門打開。因此，輸入端D中的任何變化都不會反映在輸出端Q上。不過，現(xiàn)已開啟的第二個傳輸門可確保通過在兩個串聯(lián)的反相器周圍形成的閉合正反饋回路來保留Q上先前的邏輯電平。在無焊試驗板上構(gòu)建圖2所示的D型鎖存器電路。器件M1至M6采用CD4007 CMOS陣列，兩個反相器級中的每一級（反相器級M7和M8，以及M9和M10）使用一個ZVN2110A NMOS和一個ZVP2110A PMOS。電路使用ADALM2000的固定5 V電源供電。
圖2.D型鎖存器。 硬件設(shè)置 在實驗最初，將兩個AWG輸出配置直流源。根據(jù)需要，示波器通道將用于監(jiān)控電路的輸入和輸出。固定5 V電源用于為電路供電。在此實驗中，應(yīng)禁用固定–5 V電源。
圖3.D型鎖存器試驗板連接。 程序步驟 連接引腳1和9，鎖存器的D輸入端連接到AWG1的輸出端。連接引腳4和11，鎖存器的Q輸出端連接到示波器通道2。連接引腳6，作為連接到AWG2的CLK。確保打開固定5 V電源。 首先，打開AWG控制界面并將AWG2設(shè)置為0 V直流電壓，對CLK施加邏輯低電平。將AWG1設(shè)置為5 V直流電壓，對D輸入端施加邏輯高電平。 觀察示波器通道2上鎖存器的輸出端Q。示波器界面上應(yīng)顯示穩(wěn)定的5 V電壓。捕獲屏幕截圖。
圖4.Scopy屏幕截圖。 將AWG1設(shè)置為0 V直流電壓，對D輸入端施加邏輯低電平。觀察示波器上的輸出。這是鎖存器的透明模式。此時應(yīng)能看到示波器通道2也是0 V直流電壓。現(xiàn)在將AWG2設(shè)置為5 V直流電壓，對CLK施加邏輯高電平。同時將AWG1設(shè)置為5 V直流電壓，對D輸入端施加邏輯高電平。 觀察示波器界面上的Q輸出。由于D輸入端之前為低電平，因此盡管將D更改為邏輯高電平，仍會顯示穩(wěn)定的低電平。捕獲屏幕截圖。這是電路的保持模式。
圖5.Scopy屏幕截圖。 現(xiàn)在將兩個AWG通道均配置為峰峰值為5V的方波。將AWG1設(shè)置為1 kHz頻率，將AWG2設(shè)置為2 kHz頻率或AWG1頻率的兩倍。將AWG2的相位設(shè)置為0度。確保將AWG設(shè)置為同步運行。 觀察示波器界面上在上述CLK和D輸入下相應(yīng)的Q輸出。捕獲各種波形并保存截圖，用于包含在實驗報告中。
圖6.Scopy屏幕截圖。 現(xiàn)在將AWG2的相位設(shè)置為90度。再次觀察示波器界面上在此時CLK和D輸入下相應(yīng)的Q輸出。與AWG2相位為0度時相比有何變化？說明原因。捕獲各種波形并保存截圖，用于包含在實驗報告中。
圖7.Scopy屏幕截圖。 問題 單個D型鎖存器將使輸入信號延遲1/2時鐘周期。說明時鐘相位相反的兩個串聯(lián)D型鎖存器如何構(gòu)成主節(jié)點D型觸發(fā)器，可以使輸入信號延遲一個完整的時鐘周期。 如果還有CD4007陣列可用，可構(gòu)建主節(jié)點D型觸發(fā)器作為額外的練習。 替代形式 圖2所示的D型鎖存器使用具有NMOS和PMOS晶體管的互補傳輸門。單個NMOS或PMOS無法傳遞具有相同強度（即導(dǎo)通電阻）的高低邏輯電平。單個NMOS器件可以傳遞強邏輯電平0，但會傳遞弱邏輯電平1。相反，單個PMOS器件可以傳遞強邏輯電平1，但會傳遞弱邏輯電平0。 在許多集成電路設(shè)計案例中，內(nèi)部信號僅在內(nèi)部電路模塊之間傳遞，此時單個NMOS或PMOS晶體管傳遞的非對稱驅(qū)動不是主要問題。在這種情況下，鎖存器中固有的正反饋可能會有所幫助。可以采用簡化的D型鎖存器，即只使用6個器件而不是圖2中使用的10個器件，如圖8（鎖存器在上升沿）和9（鎖存器在下降沿）所示。
圖8.6晶體管上升沿D型鎖存器。
圖9.6晶體管下降沿D型鎖存器。 硬件設(shè)置
圖10.6晶體管上升沿D型鎖存器試驗板連接。
圖11.6晶體管下降沿D型鎖存器試驗板連接。 說明 對試驗板進行任何更改之前，確保關(guān)閉固定5 V電源。在無焊試驗板上，將圖2中的電路重新配置為圖3中的電路。確保打開固定5 V電源。重復(fù)相同的步驟，將AWG1連接到D輸入端，將AWG2連接到CLK輸入端。驗證鎖存器的工作情況，它將在輸入時鐘的適當邊沿鎖存邏輯0和邏輯1輸入。 最后，將無焊試驗板上的電路重新配置為圖4中的電路。確保打開固定5 V電源。重復(fù)相同的步驟，將AWG1連接到D輸入端，將AWG2連接到CLK輸入端。驗證鎖存器的工作情況，它將在輸入時鐘的適當邊沿鎖存邏輯0和邏輯1輸入。 替代元件選擇 使用四個獨立NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A和ZVP2110A）構(gòu)建的反相器對也可以由第二個CD4007 IC構(gòu)成，也可以使用例如 74HC04 或 CD4049 等六反相器 IC 的 CMOS 反相器。 問題： 1. 您能說出D型鎖存器的主要用途（應(yīng)用）嗎？ 您可以在學子專區(qū)論壇上找到問題答案。 關(guān)于作者 Doug Mercer于1977年畢業(yè)于倫斯勒理工學院(RPI)，獲電子工程學士學位。自1977年加入ADI公司以來，他直接或間接貢獻了30多款數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品，并擁有13項專利。他于1995年被任命為ADI研究員。2009年，他從全職工作轉(zhuǎn)型，并繼續(xù)以名譽研究員身份擔任ADI顧問，為“主動學習計劃”撰稿。2016年，他被任命為RPI ECSE系的駐校工程師。 Antoniu Miclaus現(xiàn)為ADI公司的系統(tǒng)應(yīng)用工程師，從事ADI教學項目工作，同時為Circuits from the Lab®、QA自動化和流程管理開發(fā)嵌入式軟件。他于2017年2月在羅馬尼亞克盧日-納波卡加盟ADI公司。他目前是貝碧思鮑耶大學軟件工程碩士項目的理學碩士生，擁有克盧日-納波卡科技大學電子與電信工程學士學位。 |
