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智慧城市中值得關注的節(jié)能技術

發(fā)布時間:2023-6-8 11:45    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: 智慧城市 , 節(jié)能
來源:貿(mào)澤電子

氣溫每升高1度,海平面將上升2.3米,伴隨而來的還有地質(zhì)災害、極端天氣和流行疾病的增加。2020年至2030年對于全球環(huán)境發(fā)展來說是至關重要的十年,我們需要在2030年前將全球溫室氣體(GHG)排放量減半,以避免造成災難性的氣候變化。

人類已經(jīng)步入了把握自己命運的最后一個窗口期,全世界已經(jīng)達成共識,要將溫升控制在2度以內(nèi)。我國也制定了自己的雙碳目標,將在2030年前實現(xiàn)碳達峰,2060年前實現(xiàn)碳中和。

在節(jié)能減排這場戰(zhàn)役中,城市是重中之重。據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù),當前城市人口占全球總人口的55%,城市GDP達到了全球的80%,能源消耗占比為全球總消耗的2/3,城市全年碳排放量占全球總碳排量的70%以上。隨著城鎮(zhèn)化的深入,上述數(shù)據(jù)還會繼續(xù)增長。預計到2050年,城市居住人口占比將達到全球總人口的68%,城市的能源需求將會進一步擴大。


圖1:城市人口發(fā)展趨勢(圖源:IEA)

智慧城市:低碳和數(shù)字化齊頭并進

雖然城市的人口增多和產(chǎn)業(yè)聚集趨勢會帶來碳排放的增加,但同時高密度的環(huán)境創(chuàng)造了規(guī)模經(jīng)濟,減少了新建基礎設施的需求。隨著智慧城市的推進,數(shù)字化、智能化的技術能夠幫助城市實現(xiàn)低碳排放,邁向凈零排放。

對于城市低碳化而言,有兩個重要的要素:

一是要推動可再生能源的使用,包括鋪設可再生能源發(fā)電設施、分布式儲能設備和電網(wǎng)部署等;

二是提高能源利用率,減少能源浪費,例如通過智能傳感計算技術來實現(xiàn)更精細化的場景設置,通過網(wǎng)連網(wǎng)絡化的高效調(diào)配來提升各環(huán)節(jié)的運行效率等。

從當前的發(fā)展來看,智能樓宇、智慧交通和智能路燈是智慧城市中的三個主要場景,這三個場景也更容易通過技術手段來達到低碳節(jié)能的目標。


圖2:城市中主要碳排場景(圖源:BNP PARIBAS)

智能樓宇:自我供電+智能調(diào)控

智能樓宇要實現(xiàn)低碳化,首先要改變其供電方式,挖掘建筑自發(fā)電的潛能。通過衛(wèi)星圖像識別分析,目前可以安裝在城市建筑屋頂上的光伏容量約有830吉瓦。通過推廣在建筑的頂部鋪設光伏設備,可以大大減少樓宇對于公共電網(wǎng)的電力使用,從而減少城市中集中式供電需求。

光伏太陽能板吸收太陽能將其轉化為直流電,通過逆變器轉換為交流電供樓宇內(nèi)用電設備使用。多余的電量可以儲備在樓宇的儲能電池組中,或者直接反向輸電給電網(wǎng)。隨著光伏設備在建筑頂部的鋪設率提高,我們同時也可以增加直流供電設備的生產(chǎn),在光伏發(fā)電和用電端推動全直流電網(wǎng)系統(tǒng)。這不僅減少了設備中DC-AC適配器的物料成本,而且這種光伏直流電直接供給設備的方式,減少了兩個能量轉換的環(huán)節(jié),從而提高了整個能源流轉效率。


圖3:屋頂光伏發(fā)電(圖源:electricaleasy.com)

在樓宇的智能調(diào)控方面,通過個性化場景配置,智能家居可以按照用戶設定模式工作,從而確保照明控制、恒溫器和智能開關等所有設備都以高效的方式運行。

這其中需要運用到物聯(lián)網(wǎng)技術,實現(xiàn)智能感知、計算和控制,對于樓宇的照明、空調(diào)、電梯等實現(xiàn)更精細的運營。例如在照明方面,傳感器可以感知當前的環(huán)境光線、人的位置,將感知數(shù)據(jù)傳遞給MCU,MCU可以對燈進行照明度的調(diào)節(jié),從而減少不必要的電量消耗。


圖4:存在檢測智能照明(圖源:RADAR)

智慧交通:綠色、高效出行

交通是城市的脈絡,智慧城市需要打造綠色高效的出行網(wǎng)絡,在這其中電動車和車聯(lián)網(wǎng)技術是關鍵。

城市中電動車的比例提升,可以大大降低汽車尾氣排放,從而直接減少碳排放。車聯(lián)網(wǎng)可以提高整個道路系統(tǒng)的運行效率,從而實現(xiàn)更高效的車路協(xié)同管理。未來共享出行一類的場景可以將私家車的數(shù)量降低,從而減少由于大量閑置車的制造而產(chǎn)生的制造碳排放,同時提升道路通行效率。


圖5:EV比燃油車更少碳排放(圖源:electricireland)

此外,電動車還可以與智能樓宇的光伏發(fā)電項目相結合,多余的電池容量可用來儲存建筑物或集中設施產(chǎn)生的剩余太陽能電力(電網(wǎng)對車輛充電,即V1G),或用于彌補短時間電力短缺(車輛對電網(wǎng)充電,即V2G)。

這樣分布式光伏、直流系統(tǒng)、電動車和儲能結合起來,不僅可以促進可再生發(fā)電的部署,還可以推動可再生電力與電力系統(tǒng)的集成并促進需求部門的使用。


圖6:V2G場景(圖源:EIPGRID)

智能路燈:LED+遠程監(jiān)測

街道照明產(chǎn)生的費用目前約占城市平均電費的40%,因此減少街道照明的用電量,對于城市節(jié)能減排意義重大。一個非常有效的路徑就是將當前傳統(tǒng)的燈具更換成更為節(jié)能的LED燈具。

根據(jù)Navigant Research的數(shù)據(jù),此舉可將路燈的能耗降低高達50%。借助智能LED燈泡,城市還可以調(diào)整照明的顏色、強度和方向。

另一方面,智能路燈還配有傳感器和連接功能,可以將環(huán)境信息和自檢信息傳輸回中央控制系統(tǒng),從而減少運營過程中的人力巡檢。不僅如此,這種智能的路燈還能夠?qū)崿F(xiàn)預測性的維護,減少出現(xiàn)問題的概率,從而間接減少碳排放。


圖7:智能路燈(圖源:Smartcity EXPO World Congress)

智慧城市中的新一代路燈,將不僅提供照明的功能,更是城市的感官系統(tǒng)。通過感知功能,智能路燈還可以和路網(wǎng)和警務網(wǎng)絡進行聯(lián)動,提高道路智能場景的友好度,實現(xiàn)包括氣候監(jiān)測、事故報警等。

智能路燈中涉及到的關鍵技術包括LED驅(qū)動、功率轉換、感知技術、LPWAN和PLC等,其中電源管理和功率器件的性能將會直接影響整個路燈系統(tǒng)的能效。

更高效的功率器件,助力城市低碳化發(fā)展

智慧城市是一個非常宏大的課題,包含了居住、交通、醫(yī)療、教育和政府等諸多場景,涉及到的技術也包括了感知、計算、連接、控制、安全、數(shù)字孿生等。而其中與低碳化最為相關的,是直接參與到電能流傳過程中的功率轉換技術,高能效的功率器件堪稱是城市綠色發(fā)展的基石。


圖8:清潔能源應用相關的半導體器件(圖源:美國能源部)

在光伏發(fā)電、逆變器、分布式儲能、電動車、充電樁等設備中存在著大量的功率轉換電路,基本的電路拓撲結構包括Buck(降壓式)、Boost(升壓式)和Buck/Boost(升/降壓)、單端反激(隔離反激)、正激、推挽、半橋和全橋變化器等。這些電路拓撲也都是由各類不同的元器件組成,包含著大量的電容電感電阻MOSFET、變換器等半導體器件。

而所有的功率轉換器都可以簡單分為“升壓”和“降壓”兩個類別,也就是隔離形勢下的“正向”和“反激”轉換器。這其中至少包含一個開關和一個二極管。為了實現(xiàn)高效率,目前二極管已經(jīng)被數(shù)字同步整流器所取代。

半導體功率器件在關斷狀態(tài)下的損耗幾乎為零,但在開關切換和導通狀態(tài),就會產(chǎn)生一定的功率損耗。因此要提高能效,就要通過降低導通阻抗、提高開關速度(減少切換時間)和減少切換頻率這三種方式。

要實現(xiàn)高效的功率轉換電路設計,開發(fā)者需要從兩方面著手:一方面要選擇更高效的拓撲結構,從而減少開關頻率和電平轉換次數(shù);另一方面,要選擇更低導通阻抗、更快開關頻率的功率器件。

以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體器件正是憑借著更高工作溫度、更高耐壓、更快開關速度和較低導通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、可再生能源等應用中備受青睞。


圖9:不同類型器件的目標應用(圖源:powerelectronicsnews)

很多芯片廠商都推出了更高能效的第三代半導體器件,例如Nexperia的650V硅基氮化鎵場效應晶體管(GaN FET),被認為是平衡了高效率和高功率密度的理想解決方案。它允許在高電壓和大電流下進行高頻開關操作。極低的開關品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)xQGD)和反向恢復電荷(Qrr)可使器件工作在高頻以降低系統(tǒng)功耗,實現(xiàn)高效率的功率轉換。

像在光伏逆變器、UPS逆變器和伺服電機驅(qū)動器等設備中,可以選擇Nexperia GAN041-650WSB GaN FET,來實現(xiàn)更高的系統(tǒng)能效,同時追求更高的功率密度。這是一款常關型器件,將高壓GaN HEMT H2技術和低壓硅MOSFET技術結合在一起,具有650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流以及41mΩ最大電阻。該器件在貿(mào)澤電子的具體產(chǎn)品料號為GAN041-650WSBQ。


圖10:GAN041-650WSB(圖源:Nexperia)

但SiC MOSFET和GaN FET并不能夠全面取代IGBT和MOSFET,在一些并不需要那么高電壓和開關頻率的應用中,硅基MOSFET仍有其強大的價格優(yōu)勢。因此大部分功率器件廠商在布局第三代半導體器件同時,也繼續(xù)大力發(fā)展新技術的MOSFET產(chǎn)品。Nexperia推出的NextPower MOSFET系列功率MOSFET覆蓋了20V~200V的電壓范圍,具備極低Qrr,可以實現(xiàn)更高效率和更低尖峰;同時具備低Qg×RDS(on) FOM,可用于高效開關應用。

在USB‑D Type‑C適配器、48V DC‑DC適配器等電源設計中,可以選擇NextPower 100V MOSFET。該器件具有低50%的RDS(on)和強大的雪崩能量額定值,非常適用于高效率開關和高可靠性應用。該器件在貿(mào)澤電子上的具體產(chǎn)品料號為PSMN4R2-80YSEX。


圖11:低Qrr可以提高能效(圖源:貿(mào)澤電子)

結語

智慧城市的發(fā)展,需要在追求智能化的同時實現(xiàn)低碳化,如在智慧交通、智能樓宇和智能路燈等場景中,通過智能化的感知技術、高能效的功率轉換和人工智能的調(diào)控,追求凈零排放已經(jīng)成為可能。低碳化正在推動高能效的功率器件的市場需求提升,而隨著第三代半導體器件的成本逐步下降,智慧城市的低碳可持續(xù)發(fā)展,將會大有可為。


相關技術資源

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET,了解詳情>>
Nexperia NextPower MOSFET,了解詳情>>
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