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意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)，和中國化合物半導體龍頭企業（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方已簽署協議，將在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC制造廠計劃于2025年第四季度開始生產，預計將于2028年全面落成，屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業電力和能源等應用日益增長的需求。同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。 該合資廠將采用ST的SiC專利制造工藝技術，專注于為ST生產SiC器件，作為ST的專用晶圓代工廠以滿足其中國客戶的需求。 該合資廠全部建設總額預計約達32億美元，其中未來5年的資本支出約為24億美元，資金來源包括來自意法半導體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業向外貸款。 三安光電首席執行官林科闖表示：“該合資廠的成立將有力推動SiC器件在中國市場的廣泛采用。作為一家國際知名的高品質SiC晶圓代工服務公司，三安還將新建一個SiC襯底工廠，專門為新成立的合資廠提供SiC襯底。這是三安光電朝著成為SiC專業晶圓代工廠這一目標邁出的重要一步。隨著新合資廠的成立和新SiC襯底工廠的產能擴張，我們有信心三安將繼續在SiC專業晶圓代工市場占據優勢地位”。 意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“中國的汽車和工業領域正在朝著電氣化全速前進，在這個市場上，ST已經成功拿下了許多客戶項目。對ST來說，與中國本地的重要合作伙伴一起成立一個專門的晶圓廠，這將幫助我們以最高效的方式滿足中國客戶不斷增長的需求。將三安光電未來的8英寸襯底制造廠、雙方新成立的前端合資制造廠、以及ST在中國深圳現有的后端制造廠相結合，ST將有能力為我們的中國客戶提供一個完全垂直整合的SiC價值鏈。此舉將成為繼ST在意大利和新加坡的持續重大投資外，進一步擴大其全球SiC制造業務的重要一步。新合資廠將助力ST實現到2030年取得50億美元以上SiC營收這一目標。這一舉措也與ST在2025-2027年實現200億美元以上的營收目標以及我們之前向資本市場傳達的相關財務模式相契合。” 該項目的完成仍需監管部門批準。 |
