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目前，功率半導體器件市場呈現(xiàn)出集成化和模塊化、高性能和高可靠性、多電平技術(shù)、新型器件結(jié)構(gòu)和工藝、智能化和可重構(gòu)等發(fā)展趨勢和發(fā)展方向。功率半導體器件作為應用于嚴苛環(huán)境下的高功率密度器件，對器件可靠性要求居于所有半導體器件的前列。因此，對器件精準的性能測試要求、符合使用場景的可靠性測試條件以及準確的失效分析方式將有效的提升功率半導體器件產(chǎn)品的性能及可靠性表現(xiàn)。 不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰(zhàn)。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測試，施加激勵(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容)，以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試。 圍繞第三代寬禁帶半導體靜態(tài)參數(shù)測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案，具備更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 |
