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日本半導體決意復蘇:拉攏海外投資,組建本土新企,限制設備輸華

發布時間:2023-5-26 17:52    發布者:eechina
來源: 澎湃新聞



·日本半導體曾經歷“失去的10年”。20世紀70年代,日本半導體產業由國家主導,上世紀80年代后半期日本企業占據50%的世界份額。但由于日美貿易摩擦導致出口受限等原因,日本企業盈利能力下降,韓國和中國臺灣企業的實力迅速提升。同時,失去了開發和量產尖端產品不可缺少的投資余力后,日本未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細化投資競爭,出現了近10年的技術空白。

·日本正尋求振興國內半導體產業,公布半導體振興三步走戰略,提升在全球半導體市場供應鏈中的地位,拉攏海外企業在日投資,組建本土新公司2027年量產2納米芯片,成立尖端半導體技術中心開發下一代半導體量產技術。

日本半導體從占據全球50%的市場份額跌至一成左右。

上世紀80年代后半期,日本半導體企業占據全球50%的市場份額。但經歷了一段“10年技術空白”,日本半導體地位下降,近年來全球市場份額跌至一成左右。如今,日本正尋求振興國內半導體產業,提升在全球半導體市場供應鏈中的地位,拉攏海外企業在日投資,組建本土新公司2027年量產2納米芯片,成立尖端半導體技術中心開發下一代半導體量產技術。

但是,日本一方面計劃斥巨資采購芯片設備、加強半導體供應鏈國際合作,另一方面卻限制制造芯片所需的關鍵設備出口。

拉攏海外投資,組建本土新公司2027年量產2納米芯片

5月18日,日本首相岸田文雄會見了7家半導體企業高管,呼吁擴大對日投資。

目前美歐韓半導體企業正加大在日本的半導體投資。美國美光科技將在今后數年內對日最多投資5000億日元(約合人民幣253億元),包括在日本廣島工廠引進生產最尖端半導體存儲芯片的設備等。美國應用材料未來數年將在日本招聘800名工程師,將人員增至目前的1.6倍。英特爾表示將加強與日本材料廠商和半導體制造設備廠商的合作。韓國三星電子將投資超300億日元(約合人民幣15億元),在神奈川縣成立新的半導體研發基地。被稱為世界級半導體研究開發機構的比利時微電子研究中心(IMEC)計劃在北海道設立研究基地,以支援日本芯片初創企業Rapidus。

“Rapidus”在拉丁語里意為“迅速”,成立于2022年8月的Rapidus被視為日本半導體振興的“最后機會”。豐田、索尼、NTT(日本電報電話公司)等8家企業出資,力爭量產2納米邏輯(運算用)半導體,計劃用于人工智能、自動駕駛、超級計算機等。

Rapidus在北海道千歲市興建工廠,其社長小池淳義表示,預計2027年啟動量產,到2030年代銷售額將達1萬億日元(約合人民幣506億元)規模。建設2納米半導體試產線需2萬億日元,建立量產線進一步需要3萬億日元,日本經濟產業省將累計向Rapidus援助3300億日元(約合人民幣167億元)。

目前日本邏輯半導體的工廠停留在40納米左右的水平。小池淳義說,日本在尖端邏輯芯片領域落后10年-20年,挽回劣勢并非易事,合作伙伴成為填補空白的關鍵。

日本半導體曾經歷“失去的10年”。據“日經中文網”報道,20世紀70年代,日本半導體產業由國家主導,上世紀80年代后半期,日本企業占據了50%的世界份額,日本產品曾席卷全球市場。但由于日美貿易摩擦導致出口受限等原因,日本企業盈利能力下降,韓國和中國臺灣企業的實力迅速提升,同時日本也失去了開發和量產尖端產品不可缺少的投資余力。由于未能跟上2010年代白熱化的電路線寬微細化投資競爭,日本出現了近10年的技術空白。三星和臺積電在經濟不景氣時期也堅持進行巨額投資,甩開了日本制造廠商等競爭對手,建立了高收益商業模式。

據日本共同網報道,日本半導體地位下降后,近年來全球市場份額跌至一成左右。但由于日本在半導體制造設備和材料方面有優勢,政府希望通過與海外廠商合作,搞活日本半導體產業。

日本政府還吸引海外廠商赴日,除韓國三星電子等公司,“日經中文網”報道稱,臺積電正在熊本縣建設工廠,還計劃建設第二工廠。另據日本共同網報道,迄今日本已決定為臺積電在熊本縣建設的工廠提供最多4760億日元(約合人民幣241億元)補貼。

半導體振興三步走,成立尖端半導體技術中心

到2030年,日本計劃使半導體相關產品銷售額達到15萬億日元,增至目前(5萬億日元)的三倍。為振興半導體產業,提升尖端半導體技術能力,日本已陸續推出一系列舉措。

根據日本經濟產業省發布的日本半導體振興戰略,第一步是提高物聯網基礎生產能力,到2030年,工業設備、個人計算機、智能手機、數據中心、汽車等市場規模達到1萬億美元;第二步是通過美日合作實現下一代半導體技術;第三步是通過全球合作,研發光電融合技術、量子計算等未來技術。

2021年6月,日本經濟產業省發布了“半導體和數字產業發展戰略”,與國際先進制造商共同研發尖端半導體技術,確保尖端半導體的研發和生產能力,研發一批創新材料,如SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等。

去年5月,日美工商伙伴關系(JUCIP)首次部長級會議達成了《半導體合作基本原則》。基于該協議,日本經濟產業省去年7月決定成立一個新的研發機構,兩國共同研究下一代半導體。這一機構就是“尖端半導體技術中心”(LSTC)。LSTC是開發下一代半導體量產技術的研發基地,將與美國國家半導體技術中心等海外相關機構合作,建立面向日本及海外的開放式研發平臺,布局2納米甚至更先進的工藝節點的技術開發項目。去年11月,日本經濟產業省宣布,將在21世紀20年代后半期建設新一代半導體設計及制造基地,除了介紹LSTC的概況,還提到Rapidus被選為研發項目,以建立未來的半導體制造基地。

日本也正在尋求提升其在全球半導體市場供應鏈中的地位。據彭博社今年4月報道,日本2024年將斥資70億美元購買芯片設備,增幅高達82%。5月7日,岸田文雄訪問韓國,與韓國總統尹錫悅會談,確認將為構建半導體供應鏈而加強合作。上周,英國與日本在日本廣島承諾建立半導體合作伙伴關系,由英國科學、創新和技術部與日本經濟、貿易和工業部牽頭,旨在為兩國提供新的研發合作、技術交流,并提高半導體供應鏈的彈性。

一方面是巨額采購、加強半導體供應鏈國際合作,另一方面是限制制造芯片所需的關鍵設備出口。日本經濟產業省5月23日公布將尖端半導體制造設備等23個品類列入出口管理限制對象名單,預計7月23日施行。23個品類包括極紫外(EUV)相關產品的制造設備,以及可立體堆疊存儲元件的蝕刻設備等。中國商務部新聞發言人對此回應,日方公布的措施將嚴重損害中日兩國企業利益,嚴重損害中日經貿合作關系,破壞全球半導體產業格局,沖擊產業鏈供應鏈安全和穩定。日方應從維護國際經貿規則及中日經貿合作出發,立即糾正錯誤做法,避免有關舉措阻礙兩國半導體行業正常合作和發展,切實維護全球半導體產業鏈供應鏈穩定。

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