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本電源模塊是65W單一C界面，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時(shí)可達(dá)93%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到較佳匹配。 PCB 布局圖: 
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。 EMI濾波器(EMI小板) : 為了符合CISPR22B/EN55022的標(biāo)準(zhǔn)，需設(shè)計(jì)合適的濾波電路，例如共模電感(LM1/LM2)、X電容(CX1)、Y電容(CY1)、濾波電感(L1)且配合電流較佳回路達(dá)到較好的EMI效果，EMI小板設(shè)計(jì)主要是降低電磁干擾。 USB PD3.0 (協(xié)議小板) : 協(xié)議小板主要是采用協(xié)議芯片SC2151A設(shè)計(jì)，其由受電端發(fā)出電壓需求給協(xié)議IC后，控制主板改變輸出電壓，本協(xié)議必需符合 PD3.0之協(xié)議。 本協(xié)議芯片支持 -支援 DFP / UFP / DRP USB PD 3.0 -內(nèi)鍵PD 3.0協(xié)議 本報(bào)告內(nèi)容包括65W1C電氣規(guī)格、線路圖、BOM、主變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)、線路布局，是效能量測(cè)及EMI測(cè)試結(jié)果。
優(yōu)勢(shì): 返馳式谷底偵測(cè)減少開(kāi)關(guān)損失 輕載Burst Mode增加效率 較佳效能可達(dá)93% 空載損耗低于50mW 控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz 系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾 控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN 進(jìn)階保護(hù)功能如下： (1) VDD過(guò)電壓及欠電壓保護(hù) (2) 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù) (3) 輸出過(guò)電壓保護(hù) (4) 輸出短路保護(hù) 可輸出65W功率 臺(tái)灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號(hào))
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