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來源：IT之家 SK 海力士官網宣布，再次超越了現有最高性能 DRAM（內存）——HBM3 的技術界限，全球首次實現垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片，成功開發出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產品。該公司表示，目前正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。 
SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產業界首款 HBM3 之后，公司又成功開發出了內存容量比前一代產品增加 50% 的 24GB 封裝產品。我們將在下半年向市場供應新產品，以滿足由 AI 聊天機器人行業帶動的高端內存產品的需求。” SK 海力士的工程師通過應用先進的批量回流模壓填充（MR-MUF） 技術，提高了新產品的工藝效率和性能穩定性，同時通過硅通孔（TSV） 技術，將單個 DRAM 芯片的厚度降低了 40%，達到了與 16GB 產品相同的堆疊高度水平。 HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發出來的一種內存，由于它在實現運行在高性能計算（HPC）系統中的生成型 AI 中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業的廣泛關注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數據的理想產品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。 SK 海力士已經向多個對最新產品表達了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產品的樣品，同時該產品的性能評估也在進行中。 “SK 海力士之所以能夠不斷開發出一系列超高速和高容量的 HBM 產品，是因為它在后端工藝中運用了領先的技術，”SK 海力士封裝測試部門負責人洪相厚說，“公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備工作，以進一步鞏固其在 AI 時代尖端 DRAM 市場中的領導地位�！� IT之家注：HBM（High Bandwidth Memory）是一種高價值、高性能的內存，通過垂直連接多個 DRAM 芯片，與傳統的 DRAM 產品相比，大幅提高了數據處理速度。HBM DRAM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開發�，F有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆疊 8 個單品 DRAM 芯片的 16GB。 |
