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國(guó)際電子商情 在過(guò)去一年里，由于受地緣沖突、通貨膨脹、經(jīng)濟(jì)下行等因素的影響，“庫(kù)存調(diào)整”成為了存儲(chǔ)供應(yīng)鏈共同面對(duì)的難題。在波譎云詭的市場(chǎng)變化之下，存儲(chǔ)企業(yè)依然積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的挑戰(zhàn)，同時(shí)也在持續(xù)更新存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品。 到2023年第一季度，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有了一些新動(dòng)態(tài)： 在存儲(chǔ)密度方面，隨著3D NAND閃存層數(shù)堆疊，3D NAND已經(jīng)突破200層，存儲(chǔ)密度比176層提升了40%以上。與此同時(shí)，市面上也出現(xiàn)了更多QLC NAND產(chǎn)品，廠商也開(kāi)始在規(guī)劃PLC NAND。 在連接架構(gòu)方面，新發(fā)布的CXL 3.0標(biāo)準(zhǔn)將數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬提高一倍，有望突破內(nèi)存密度和帶寬瓶頸的限制，目前CXL聯(lián)盟成員數(shù)已經(jīng)超過(guò)160個(gè)，參與者包括CPU、內(nèi)存、IP、加速器等廠商。另外，打造芯片內(nèi)部架構(gòu)的UCIe聯(lián)盟也在發(fā)展，未來(lái)CXL和UCIe有望通過(guò)Chiplet的方式互聯(lián)。 在市場(chǎng)應(yīng)用方面，數(shù)據(jù)中心、汽車存儲(chǔ)需求的激增，企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)和車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)有了更大的市場(chǎng)空間，隨之產(chǎn)生的數(shù)據(jù)安全需求及低功耗等趨勢(shì)，也決定著存儲(chǔ)器件的未來(lái)發(fā)展方向，存儲(chǔ)將持續(xù)往大容量、低功耗、高密度、高性能方向發(fā)展。 在全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)提供者西部數(shù)據(jù)看來(lái)，人類在未來(lái)五年內(nèi)創(chuàng)建的數(shù)據(jù)，將超過(guò)以往總數(shù)據(jù)量的2倍。其中，無(wú)論是個(gè)人移動(dòng)設(shè)備、智能穿戴設(shè)備的增長(zhǎng)，還是人工智能(AI)、自動(dòng)駕駛、5G等趨勢(shì)的普及，都意味著存儲(chǔ)密集型應(yīng)用會(huì)不斷增多。同時(shí)，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)和中小企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，對(duì)數(shù)據(jù)中心IT存儲(chǔ)架構(gòu)的容量、性能、TCO(總擁有成本)和能耗提出了更多要求。 而西部數(shù)據(jù)的業(yè)務(wù)布局，正好順應(yīng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的趨勢(shì)。無(wú)論是針對(duì)3D NAND閃存技術(shù)的研發(fā)，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的縱向集成，還是針對(duì)NAND、SSD、HDD和平臺(tái)的垂直整合，這些舉措都在順應(yīng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展。 不斷提升存儲(chǔ)密度 在前文中我們也有談到，當(dāng)前業(yè)內(nèi)存儲(chǔ)廠商提升存儲(chǔ)容量，主要通過(guò)堆疊3D NAND的層數(shù)和提升閃存Cell單元比特(bit)位元，來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度的增加和成本的進(jìn)一步降低。目前, 3D NAND已經(jīng)進(jìn)化到了第六代。2021年，西部數(shù)據(jù)與合作伙伴鎧俠共同研發(fā)了第六代162層3D NAND閃存技術(shù)。與上一代產(chǎn)品相比，第六代3D閃存降低了單位成本，并讓每個(gè)晶圓的制造位增加了70%。西部數(shù)據(jù)曾強(qiáng)調(diào)，NAND的先進(jìn)程度不是層數(shù)的堆疊競(jìng)賽，每一層的效率也是影響閃存密度的關(guān)鍵。西部數(shù)據(jù)的第六代閃存除了層數(shù)的堆疊，也將橫向密度提高了約10%，使晶圓尺寸減小約40%，提高性能的同時(shí)極大地降低了成本。 2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)遭遇了下行，存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格嚴(yán)重下跌，原廠和渠道商出現(xiàn)了庫(kù)存積壓。在這一年里，存儲(chǔ)大廠減緩了產(chǎn)品迭代的速度，把重心調(diào)整到去庫(kù)存上，到今年Q1存儲(chǔ)行業(yè)的下行趨勢(shì)仍未觸底。所幸的是，在近日的2023 CFMS閃存峰會(huì)上，中國(guó)閃存市場(chǎng)和國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)原廠均表示，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)行業(yè)的這輪下行期在今年Q2或Q3出現(xiàn)拐點(diǎn)。 除了在堆疊層數(shù)上發(fā)力之外，西部數(shù)據(jù)還在閃存Cell單元bit位元方面做創(chuàng)新。在2018年市場(chǎng)上開(kāi)始出現(xiàn)QLC NAND產(chǎn)品，到2019年包括西部數(shù)據(jù)在內(nèi)的存儲(chǔ)廠商跟進(jìn)，相繼量產(chǎn)90+層TLC 3D NAND，并紛紛推出90+層QLC產(chǎn)品。到2023年，新一代3D NAND技術(shù)推出之后，在后續(xù)的量產(chǎn)中更新TLC和QLC版本的產(chǎn)品已成產(chǎn)業(yè)共識(shí)。 當(dāng)然，消費(fèi)者在購(gòu)買(mǎi)存儲(chǔ)產(chǎn)品時(shí)，不僅會(huì)關(guān)注存儲(chǔ)容量，也會(huì)關(guān)注壽命和運(yùn)行速度。QLC雖然容量大、成本低，但壽命和緩?fù)鈱?xiě)入速度不如TLC、SLC。比如，QLC的單位成本雖然有下降、存儲(chǔ)密度有提升，但產(chǎn)品的讀寫(xiě)性能卻也會(huì)下降，這也導(dǎo)致QLC產(chǎn)品在人工智能、深度學(xué)習(xí)等領(lǐng)域的應(yīng)用面臨限制。存儲(chǔ)廠家為了解決這些問(wèn)題，一般會(huì)通過(guò)添加SLC 緩存、虛擬緩存、DRAM緩存來(lái)提升QLC的緩?fù)鈱?xiě)入速度。 日益豐富的產(chǎn)品組合 隨著固態(tài)硬盤(pán)性能和容量的不斷提升，固態(tài)硬盤(pán)在消費(fèi)類應(yīng)用中的表現(xiàn)突出。雖然全球消費(fèi)電子市場(chǎng)正在疲軟期，消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)能也出現(xiàn)了過(guò)剩。但從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，消費(fèi)類SSD的市場(chǎng)潛力巨大。從2023年到2026年，消費(fèi)類SSD復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)45%；預(yù)計(jì)到2026年，消費(fèi)類存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)份額中，約有7成是SSD。 西部數(shù)據(jù)的業(yè)務(wù)板塊包括閃存和HDD，擁有西部數(shù)據(jù)(Western Digital)、閃迪(SanDisk)、西數(shù)(WD)、閃迪大師(SanDisk Professional)和WD_BLACK在內(nèi)的多個(gè)品牌，能夠提供從云數(shù)據(jù)中心、智慧視頻、汽車、手機(jī)移動(dòng)端、IoT到消費(fèi)者個(gè)人PC等領(lǐng)域豐富的產(chǎn)品組合。 個(gè)人PC和游戲主機(jī) 西部數(shù)據(jù)的WD_BLACK、WD Blue和WD Green等系列的內(nèi)置SSD，可滿足個(gè)人PC或游戲主機(jī)設(shè)備擴(kuò)容的需求。 WD_BLACK SN850X NVMe SSD是WD_BLACK系列的旗艦產(chǎn)品，它搭載了西部數(shù)據(jù)自研主控及PCle Gen4技術(shù)，可提供7,300 MB/s的順序讀取速度和6,600MB/s的順序?qū)懭胨俣?2TB和4TB容量版本)，隨機(jī)讀取和寫(xiě)入IOPS達(dá)1,200K(2TB和4TB容量版本)和1,100K，并提供從1TB至4TB多個(gè)容量版本。 WD_BLACK SN770 NVMe SSD搭載了西部數(shù)據(jù)第四代DRAM-less SSD(自研主控和NAND閃存顆粒)，采用了PCIe Gen4接口，可提供高達(dá)5,150MB/s的讀取速度(1TB和2TB容量版本)和4,900MB/s的寫(xiě)入速度(1TB容量版本)。 手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備 西部數(shù)據(jù)的UFS 3.1 iNAND MC EU551針對(duì)手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備存儲(chǔ)應(yīng)用，該產(chǎn)品采用基于西部數(shù)據(jù)第七代Smart SLC的Write Booster技術(shù)，滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，支持Host Performance Booster 2.0版本，還進(jìn)一步融合了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的全新進(jìn)展；性能方面，與上一代產(chǎn)品相比，其隨機(jī)讀取性能提升了一倍，隨機(jī)寫(xiě)入性能提升約40%，順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，順序讀取性能提升約30%；在容量方面，提供從128GB至512GB等多個(gè)規(guī)格，工作溫度范圍為-25℃到85℃。 <西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件> 自動(dòng)駕駛汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車 iNAND AT EM132嵌入式閃存盤(pán)和iNAND AT EU312 UFS嵌入式閃存盤(pán)針對(duì)自動(dòng)駕駛汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車存儲(chǔ)應(yīng)用。 iNAND AT EM132是首款應(yīng)用在汽車領(lǐng)域、采用64層3D NAND TLC技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，其工作溫度區(qū)間為-40°C-105°C，容量選擇在32GB-256GB之間。該產(chǎn)品還囊括專為密集型汽車工作負(fù)載而設(shè)計(jì)的豐富汽車功能，包括先進(jìn)的運(yùn)行狀況監(jiān)控、熱管理、數(shù)據(jù)保存性超過(guò)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)、采用先進(jìn)的數(shù)據(jù)保護(hù)和糾錯(cuò)技術(shù)等等。 < 西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤(pán) > iNAND AT EU312 UFS嵌入式閃存盤(pán)采用UFS 2.1接口，為汽車OEM廠商和Tier 1提供存儲(chǔ)容量、性能和可靠性存儲(chǔ)，比之前基于e.MMC產(chǎn)品有更強(qiáng)的性能。該閃存盤(pán)可提供16GB至256GB的容量選擇，并擁有550/800MB/s的寫(xiě)入/讀取速度，其具備先進(jìn)的內(nèi)存管理固件和硬件，符合JEDEC47, ISO26262和AEC-Q100二級(jí)三級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。 < 西部數(shù)據(jù)iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤(pán) > 工業(yè)自動(dòng)化與物聯(lián)網(wǎng) 工業(yè)自動(dòng)化與物聯(lián)網(wǎng)使用的存儲(chǔ)產(chǎn)品，主要有嵌入式和可插拔式兩種形式。常見(jiàn)的可插拔式的存儲(chǔ)產(chǎn)品有PCle協(xié)議SSD、SATA協(xié)議SSD，以及SD存儲(chǔ)卡和Micro SD存儲(chǔ)卡等類型，嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品主要有e.MMC和UFS兩種類型。 iNAND IX EM132嵌入式閃存盤(pán)是專為工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備設(shè)計(jì)的3D NAND e.MMC，它搭載了西部數(shù)據(jù)64層3D NAND閃存。該產(chǎn)品有兩種版本的寬溫范圍，分別是-25℃至+ 85℃及-40°C至85℃，可為基于高級(jí)操作系統(tǒng)、傳感器融合和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)的工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用提供更高的容量選擇。 < 西部數(shù)據(jù)iNAND IX EM132嵌入式閃存盤(pán) > iNAND IX EU312 UFS EFD基于3D NAND閃存，將UFS的高性能及工業(yè)級(jí)的高耐久性和大容量，用于終端攝像頭和智慧視頻應(yīng)用，支持A1視頻攝像機(jī)和邊緣設(shè)備的高頻讀寫(xiě)使用，設(shè)備支持最高可達(dá)768TBW (256GB版本)，耐久性強(qiáng)大，可滿足密集的讀寫(xiě)要求。 < 西部數(shù)據(jù)iNAND IX EU312 UFS EFD> 數(shù)據(jù)中心 Ultrastar DC SN650 NVMe SSD是西部數(shù)據(jù)2022年針對(duì)企業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)中心推出的SSD。它可提供最高達(dá)15.36TB的容量，采用BiCS 5 3D TLC NAND和PCle 4.0接口，通過(guò)增加單位SSD的虛擬化主機(jī)數(shù)量，以及整合更大的數(shù)據(jù)集來(lái)提高存儲(chǔ)資源利用率，該產(chǎn)品可用于大數(shù)據(jù)分析和AI/ML的數(shù)據(jù)集，還可通過(guò)采用Ultrastar DC SN650 NVMe SSD來(lái)縮短時(shí)延并提高數(shù)據(jù)吞吐量。 Ultrastar DC SN650 NVMe SSD 西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理 蔡耀祥 西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理蔡耀祥表示：“在人工智能、自動(dòng)駕駛、云計(jì)算、5G和物聯(lián)網(wǎng)等新型技術(shù)的推動(dòng)下，海量的數(shù)據(jù)，復(fù)雜的用例和IT架構(gòu)對(duì)NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新及應(yīng)用提出了更高的要求。作為全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)的提供者，西部數(shù)據(jù)在NAND閃存領(lǐng)域擁有領(lǐng)先的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，核心的創(chuàng)新技術(shù)和強(qiáng)大的縱向集成能力。同時(shí)，基于對(duì)市場(chǎng)的敏銳洞察和用戶訴求的深刻理解，我們提供覆蓋云數(shù)據(jù)中心、汽車、IoT到消費(fèi)者個(gè)人PC、手機(jī)移動(dòng)端等各領(lǐng)域的閃存產(chǎn)品和解決方案，滿足用戶的多樣化存儲(chǔ)需求。此外，西部數(shù)據(jù)在上海擁有自己的半導(dǎo)體工廠和解決方案賦能中心，可以更好地支持本土客戶。西部數(shù)據(jù)長(zhǎng)期投入中國(guó)市場(chǎng)，我們也計(jì)劃不斷深化與行業(yè)伙伴的交流合作，積極探索未來(lái)的發(fā)展道路，攜手共創(chuàng)數(shù)字時(shí)代的輝煌。” 聚焦行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)趨勢(shì) 除了產(chǎn)品組合之外，我們還看到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)有趨于統(tǒng)一的趨勢(shì)。 2021年11月，CXL合并Gen-Z，將其所有規(guī)范和資產(chǎn)轉(zhuǎn)移給CXL，并且雙方聯(lián)盟成員日后將專注于CXL這唯一標(biāo)準(zhǔn)。其實(shí)，西部數(shù)據(jù)是Gen-Z聯(lián)盟的參與者。合并后的CXL聯(lián)盟更加壯大，不僅包括內(nèi)存廠商、IP廠商、加速器廠商等，還包括CPU廠商。 如果說(shuō)CXL打造的是CPU和外部的連接架構(gòu)，UCIe則可打造芯片內(nèi)部的架構(gòu)。現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)已經(jīng)有一些廠商在推CXL+UCIe的概念。根據(jù)設(shè)想，通過(guò)Chiplet(芯粒)之間的互連接口標(biāo)準(zhǔn)，打造一個(gè)開(kāi)放性的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)，CXL+UCIe可組合成計(jì)算+互聯(lián)的芯片，同時(shí)CXL可以更換，更換IP非常便捷，從而可快速更換應(yīng)用場(chǎng)景。 西部數(shù)據(jù)作為行業(yè)生態(tài)中的一員，相信在未來(lái)的產(chǎn)品規(guī)劃上也會(huì)考慮行業(yè)的各種趨勢(shì)，以持續(xù)的技術(shù)和存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新賦能行業(yè)生態(tài)的可持續(xù)發(fā)展，迎接數(shù)字時(shí)代的到來(lái)。 |
