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1、IDM模式為主 目前氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈行業(yè)龍頭企業(yè)以IDM模式為主，但是設(shè)計與制造環(huán)節(jié)已經(jīng)開始出現(xiàn)分工。從氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈公司來看，國外公司在技術(shù)實力以及產(chǎn)能上保持較大的領(lǐng)先。中國企業(yè)仍處于起步階段，雖已初步形成全產(chǎn)業(yè)鏈布局，但市場份額和技術(shù)水平仍相對落后。 2、國產(chǎn)化進(jìn)程 國產(chǎn)企業(yè)英諾賽科已建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)線，目前產(chǎn)能達(dá)到每月1萬片/月，并將逐漸擴(kuò)大至7萬片/月。大連芯冠科技在氮化鎵功率領(lǐng)域，已實現(xiàn)6英寸650V硅基氮化鎵外延片的量產(chǎn)，并發(fā)布了比肩世界先進(jìn)水平的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品；在氮化鎵射頻領(lǐng)域，已著手進(jìn)行硅基氮化鎵外延材料的開發(fā)、射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備工作。 由于GaN場效應(yīng)晶體管（FET）支持更快的開關(guān)速度和更高的工作頻率，有助于改善信號控制，為無源濾波器設(shè)計提供更高的截止頻率，降低紋波電流，從而幫助縮小電感、電容和變壓器的體積。從而構(gòu)建體積更小的緊湊型系統(tǒng)解決方案，最終實現(xiàn)成本的節(jié)約。 當(dāng)前的功率GaN FET有兩個主流方向：增強(qiáng)型（E-Mode，單芯片常關(guān)器件）和耗盡型（D-Mode，雙芯片常關(guān)器件）。目前E-Mode柵極有穩(wěn)定性和漏電流的問題，而驅(qū)動雙芯片常關(guān)（或者說共源共柵配置）的D-Mode器件則更簡單并穩(wěn)健。所以，對于可高達(dá)1 MHz開關(guān)頻率的操作，共源共柵GaN FET最為適合。 氮化鎵功率器件分為增強(qiáng)型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）兩種，增強(qiáng)型是常關(guān)的器件，耗盡型是常開的器件。 GaN射頻器件（功率放大器PA、低噪聲放大器LNA、射頻開關(guān)SW ITCH、單片集成電路MMIC） GaN功率器件目前大多采用GaN-on-Si的技術(shù)，相比于昂貴的SiC襯底，采用Si襯底的GaN功率器件優(yōu)勢主要在中低壓領(lǐng)域，市面上產(chǎn)品工作電壓主流產(chǎn)品在1000V以下，但近年也出現(xiàn)1200V甚至更高電壓的GaN-on-Si功率器件。 |
