|
測試背景 地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室 測試對象：氮化鎵半橋快充 測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試 測試探頭：麥科信OIP系列光隔離探頭 現場條件 因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。 現場連接圖如下： 
▲圖1：接線 現場測試步驟 1.將探頭連接10X衰減器，并將衰減器插入同軸延長線； 2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機； 3.將示波器對應通道衰減比設置10X，將輸入電阻設置為50Ω； 4.給目標板上電； 
▲圖2：測試場景1
▲圖3：測試場景2 測試結果 1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變； 2.上管關斷瞬間負沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍； 3.下管關斷瞬間引起的負沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全范圍； 4.Vgs信號上升時間240ns左右。 （以上數據通過截屏讀數）
▲圖4：測試結果截屏 結論 1.目標板設計合理，Vgs控制信號近乎完美； 2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制； 3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。 |
