公眾號:高速先生 作者:李遠恒 定睛一看,這不就是一個普普通通的BGA嘛,能有啥問題,但我要告訴你截圖時同時打開了TOP面和BOT面,是不是就發現了問題了,是的,BOT面一個電容也沒有,電容全部擺放在BGA的周圍,這樣的話,小容值的去耦電容由于距離BGA電源pin過孔很遠,效果就會減弱甚至是沒有,對PDN阻抗的影響會比較大。雷工立馬反饋了修改意見,同時也想仿真一下,與理論相結合,仿真結果如下: 仿真結果與猜想一致,例如1uF這類小電容完全沒起作用,故其諧振點并未體現在PDN阻抗曲線上面。Layout工程師很快就將小電容修改到BAG下方,雷工拿到PCB文件再次導入仿真軟件進行驗證,結果卻令人大吃一驚,居然與前仿電容位于BGA管腳下方的結果有較大出入: 雷工心想,難道是之前仿真出錯了?隨即查看PCB,看能否找到原因,發現之前仿真的電容位置與實際PCB電容擺放的位置有細微的差異,對比圖如下: 由于是盲埋孔設計,雷工仿真時直接把焊盤放到了過孔上,實際電容布局卻引入了一小段3mil左右的走線,心想難道是這段走線引起的差異??? 根據電容頻率公式: 實際電容的諧振頻率與電感L(此處L包括電容寄生電感以及回路電感)和容值有關, L越大,則諧振頻率越小。結合此處情況,就是電容PIN到過孔走線變長,引起回路電感變大,但這3mil的長度在整個回路當中占比很小,幾乎對諧振頻率無影響才對,反觀上述對比圖,明顯電容諧振點趨向高頻,與該處理論沖突,故雷工就放棄了這個猜想。 電容諧振點阻抗變小,莫非是電容模型的問題?繼續檢查仿真的工程文件,原來是因為更新導入PCB文件時,沒有保留原設置,導致1uF電容變成了理想電容,這樣就相當于沒有考慮電容本身寄生參數的影響,從而導致結果差異比較大,重新添加正確的電容模型,結果與之前仿真一致,雷工懸著的心終于落了地。 關于理想電容與實際電容可查閱上周高速先生文章孫工有做解釋: 性能逆天的這種電容,你見過嗎? 同時,雷工繼續用仿真軟件搭建理想電容與實際電容鏈路,進行簡單的對比驗證以加深印象: 結果對比圖如下: 仿真結果與理論相吻合。 |