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通過替代機械繼電器和MOSFET，實現汽車和工業設備市場所需的功能安全 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向引擎控制單元和變速箱控制單元等車載電子系統、PLC（Programable Logic Controller）等工業設備，開發出40V耐壓單通道和雙通道輸出的智能低邊開關*1（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）“BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列”，此次共推出8款產品。 近年來，在汽車和工業設備領域，圍繞自動駕駛（自動化）的技術創新日新月異，對安全性的要求也越來越高。在進行設備開發時，必須考慮到如何在緊急情況下確保功能安全*2。傳統上，通常采用機械繼電器或MOSFET來執行電子電路的ON/OFF控制，但它們在系統故障時不具備相應的保護功能。從功能安全的角度來看，IPD具有保護功能，而且在壽命和可靠性方面也表現非常出色，因而得以日益普及，其市場規模正在不斷擴大。針對市場對提升可靠性的需求，ROHM早在2014年就開始構建IPD專用工藝。此次通過進一步提高專用工藝的電流承載能力，并結合ROHM的模擬設計技術優勢，打造了更廣泛的產品陣容。 IPD不僅可以進行電子電路的ON/OFF控制，還內置有保護功能，可保護電路免受電氣故障（異常時的過電流）的影響，有助于構建安全且可靠性高的系統。新產品配置在電機和照明等被控設備的下側（接地側）電路中，從電路結構方面看，具有可輕松替代機械繼電器和MOSFET、易于設計的優點。 IPD內部的功率MOSFET部分在關斷時會因反電動勢*3而發熱，新產品采用ROHM自有的電路和器件技術“TDACC™”*4，通過優化控制流過電流的通道數量，在保持小型封裝的前提下抑制了發熱量并實現了低導通電阻*5，這些特性在小型IPD中是很難同時兼顧的。這將非常有助于各種設備的安全運行和減少功率損耗。采用TDACC™技術可以進一步縮小封裝，從而成功地實現了業界尚不多見的SOP-J8封裝雙通道輸出40mΩ（導通電阻）的產品。單通道和雙通道產品均有40、80、160、250mΩ多種導通電阻值可選，能夠滿足客戶多樣化的需求。另外，新產品的接觸放電耐受能力（表示對過電流浪涌的耐受能力）也高于普通產品，這將有助于各種設備的安全工作。 新產品已于2022年10月開始暫以系列合計月產60萬個（樣品價格320日元/個，不含稅）的規模投入量產。現已開始網售，可從Ameya360、Oneyac、Sekorm等電商平臺購買。 未來，ROHM計劃將采用TDACC™技術的IPD專用工藝進一步微細化，開發更低導通電阻、更小型、更多功能、更多通道的系列IPD產品，通過豐富的產品陣容為汽車和工業設備應用的安全、安心和節能貢獻力量。 ＜新產品與普通產品的接觸放電耐受能力比較＞ ＜ROHM的IPD產品陣容＞ ＜新產品陣容＞ ＜關于ComfySIL品牌＞ ROHM面向要進行功能安全設計的客戶等利益相關者推出了ComfySIL™品牌，旨在通過產品為社會系統的安全、安心與舒適做出貢獻。 ComfySIL™適用于遵循ComfySIL™理念的功能安全產品，不僅包括汽車領域也涵蓋工業設備領域的功能安全。 ComfySIL™特設網頁： https://www.rohm.com.cn/functional-safety ※ComfySIL™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 ＜應用示例＞ ◇BCM（Body Control Module）、外飾燈和內飾燈、引擎、變速箱等車載電子設備 ◇PLC（Programable Logic Controller）等工業設備 以及其他各種應用。 ＜電商銷售信息＞ 開始銷售時間：2022年12月起 電商平臺：Ameya360、Oneyac、Sekorm 在其他電商平臺也將逐步發售。 ＜與普通開關的比較＞ 與機械繼電器的比較 與MOSFET的比較 ＜高邊IPD與低邊IPD的比較＞ ＜術語解說＞ *1) 智能高低邊開關（IPD） 不僅可控制電子電路的ON/OFF，還可以保護電路免受電氣故障（異常時的過電流）影響的器件。與傳統的機械繼電器不同，這種器件沒有機械觸點，因此在壽命、可靠性和靜音方面都表現出色。另外，MOSFET作為普通的半導體開關器件，可能會因過電流而損壞，而IPD則內置保護功能，可以用來構建更安全和更高可靠性的系統。 *2) 功能安全 功能安全是“通過監控設備和防護設備等附加功能來降低風險的措施”，是安全措施（出于確保安全的考慮）的一種。汽車領域的功能安全是指由于電子系統故障等導致功能障礙的情況下，把危險降低到不對人體產生危害的程度而進行的安全保護。 *3) 反電動勢 電機和線圈等感性負載具有試圖保持電流持續流動的性質，也就是在IPD關斷時試圖讓電流繼續流動而產生的能量。 *4) TDACC™ ROHM自有的電路和器件技術。IPD內部的功率MOSFET部分在關斷時會因反電動勢而發熱，通過優化控制流過電流的通道數量，實現了在保持小型封裝的前提下很難同時兼顧的低發熱量和低導通電阻。 ・“TDACC™”是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 *5) 導通電阻 MOSFET導通時漏極和源極之間的電阻值。該值越低，導通時的損耗（功率損耗）越少。 |
