碳化硅MOS,適用于高壓大功率場合的三相三電平LLC諧振直流變換器
一:研究背景與電路拓撲二:基波分析法與工作原理分析三:變換器特性 |
第三代半導體SIC |
寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
http://m.qingdxww.cn/forum.ph ... jAwfDgxMDg4Ng%3D%3D碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 |
碳化硅半導體SIC MOS |
SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - 電子工程網 http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |