1700V100A內(nèi)阻20mohm中國的碳化硅器件, 特性:低電容高速開關(guān),高阻塞電壓,低RDS(on);使用標(biāo)準(zhǔn)門驅(qū)動(dòng),駕駛簡單; 100%雪崩測試;最高結(jié)溫175°C;符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)。
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
第三代半導(dǎo)體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
國產(chǎn)首家過AEC-Q101 |
1700V100A高壓大電流 |
1700V100A厲害了 |
國產(chǎn)模塊 DCM/1200V800A |
SiC MOSFET在車載充電器(OBC)上越來越受歡迎 |
寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn) |
采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~1200V~1700V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。 |
http://m.qingdxww.cn/forum.ph ... jAwfDgxMDg4Ng%3D%3D碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 |
新能源都800V平臺了,1700V的 MOS應(yīng)該會(huì)火起來 |
碳化硅MOS管國產(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V,后續(xù)推出6500V。 - 電子工程網(wǎng) http://m.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html |
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封裝TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7 |
碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://m.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
碳化硅MOS管電壓650V-1200V-1700V-3300V,電流5A-150A 。 - 汽車電子 - http://m.qingdxww.cn/thread-810886-1-1.html |