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強強聯(lián)合可將特定的高性能計算內(nèi)存工作負載性能提升 2 倍 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使內(nèi)存帶寬在 STREAM 基準測試中翻倍，并在特定的高性能計算 （HPC）工作負載中將性能提升 2 倍，例如計算流體動力學（OpenFOAM）、天氣研究與預報（WRF）建模和 CP2K 分子動力學。 美光高級副總裁兼計算及網(wǎng)絡事業(yè)部總經(jīng)理 Raj Hazra 表示：“美光不斷引領(lǐng)業(yè)界轉(zhuǎn)向 DDR5 市場。如今的算法越來越倚賴內(nèi)存，它們需要更高的內(nèi)存性能和可靠性才能從海量的數(shù)據(jù)中獲取洞察。DDR5 極大提升了支撐這些算法所需的系統(tǒng)內(nèi)存能力，從而持續(xù)提升下一代數(shù)據(jù)中心基礎設施的價值。” AMD EPYC 產(chǎn)品管理企業(yè)副總裁 Ram Peddibhotla 表示：“第四代 AMD EPYC 處理器不僅能持續(xù)提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心工作負載的性能標準，同時還能提供卓越的能效。它將改變客戶運營數(shù)據(jù)中心的模式 —— 加快價值實現(xiàn)的時間，降低總體擁有成本，幫助企業(yè)實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標。” 在STREAM基準性能測試中，美光將第四代AMD EPYC 處理器系統(tǒng)搭配美光 DDR5（4800 MT/s）組合與第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)和美光DDR4（3200 MT/s）組合進行了對比。在第四代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)加持下，美光 DDR5實現(xiàn)了每插槽 378 GB/s 的峰值內(nèi)存帶寬，而搭配第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)的DDR4峰值內(nèi)存帶寬僅為 189 GB/s。測試顯示系統(tǒng)內(nèi)存帶寬提升了兩倍。 美光攜手 AMD 評估了第三代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR4 組合對比第四代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR5組合在三種高性能計算工作負載（OpenFOAM、WRF和CP2K）中的表現(xiàn)。第四代 AMD EPYC 處理器平臺搭配美光 DDR5 組合將 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍，WRF性能提高了 2.1 倍，CP2K性能提高了 2.03 倍。 聯(lián)想基礎設施解決方案集團高性能計算與人工智能業(yè)務副總裁 Scott Tease 表示：“隨著建模和仿真以及機器學習工作負載在高性能計算和人工智能中的持續(xù)增長，客戶要求內(nèi)存解決方案能夠最大限度地提高有效帶寬。在整個開發(fā)和驗證階段，我們與美光密切合作，致力于滿足性能密集型工作負載的需求。DDR5 加速推動內(nèi)存性能進入新紀元，助力我們交付下一代平臺。” 美光在 JEDEC 制定 DDR5 內(nèi)存規(guī)范的過程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，同時也是最早向客戶出樣 DDR5 的廠商之一。美光的技術(shù)賦能計劃（TEP）是業(yè)內(nèi)首個同類計劃，幫助系統(tǒng)設計人員盡早獲得關(guān)鍵的內(nèi)部資源，從而協(xié)助他們進行 DDR5 的驗證和認證。美光致力于在整個生態(tài)系統(tǒng)中開展合作，并將持續(xù)在領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品路線圖上進行投入。 |
