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【實(shí)用技巧】如何使用商業(yè)級(jí)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備測(cè)量超低偏置電流

發(fā)布時(shí)間:2022-9-26 16:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 偏置電流 , ADA4530 , 電流測(cè)量
作者:ADI現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師Aoi Ueda

問(wèn)題:
有沒(méi)有一種簡(jiǎn)單的辦法來(lái)測(cè)量飛安級(jí)別的超低偏置電流



答案:
有——只需要仔細(xì)設(shè)置。

簡(jiǎn)介

在要求低漏電流的應(yīng)用中,請(qǐng)務(wù)必選擇低輸入偏置電流(IB)的運(yùn)算放大器。盡管“應(yīng)用筆記AN-1373”中曾介紹了如何使用ADA4530-1評(píng)估板測(cè)量超低偏置電流。然而,由于飛安(fA)級(jí)電流的實(shí)際處理性質(zhì),測(cè)量環(huán)境(夾具、屏蔽、電纜、連接器等設(shè)備)也會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。

本文將介紹ADI如何嘗試使用常見(jiàn)的商業(yè)級(jí)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備、夾具和材料重現(xiàn)AN-1373中的測(cè)量過(guò)程,并提供一些替代方案來(lái)改進(jìn)測(cè)量,最終測(cè)試的偏置電流將達(dá)到50fA。首先,測(cè)量用于測(cè)量偏置電流的輸入電容(運(yùn)放內(nèi)部的等效共模輸入電容),以及125°C條件下給輸入電容充電時(shí)輸出電壓的變化。其次,嘗試根據(jù)測(cè)得的輸出電壓推導(dǎo)偏置電流值。最后,將嘗試根據(jù)測(cè)量結(jié)果來(lái)改進(jìn)測(cè)量環(huán)境。

容性集成測(cè)量

根據(jù)AN-1373,為了使用容性集成測(cè)量方法,必須先測(cè)量ADA4530-1的輸入電容(Cp)。本次實(shí)驗(yàn)將使用ADA4530-1R-EBZ-BUF來(lái)執(zhí)行,ADA4530-1配置為單位增益的緩沖器模式。

接著,計(jì)算輸入電流(IB+)。具體來(lái)說(shuō),使用圖1所示的電路配置,當(dāng)測(cè)試盒中的SW從ON(接地至GND)轉(zhuǎn)到OFF(開(kāi)路)時(shí),IB+流入Cp。當(dāng)IB+給Cp充電時(shí),輸出電壓升高,因此通過(guò)監(jiān)控IB+并將其代入等式1,可以計(jì)算其值。


圖1.容性集成測(cè)量方法示意圖



通過(guò)輸入串聯(lián)電阻測(cè)量總輸入電容

為計(jì)算Cp,本實(shí)驗(yàn)使用串聯(lián)電阻法。圖2顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單的電路示意圖。串聯(lián)電阻的值基于A(yíng)N-1373第6頁(yè)的測(cè)量指南,實(shí)際值是Rs = 8.68 MΩ。此外,在測(cè)試盒中安裝了SW,以供稍后的實(shí)驗(yàn)使用(此時(shí),SW開(kāi)路)。

可以測(cè)量函數(shù)發(fā)生器的波形衰減到-3dB時(shí)的頻率,并且可以使用等式2計(jì)算輸入電容。


圖2.使用輸入串聯(lián)電阻計(jì)算Cp



圖3顯示了這一設(shè)置。在“通過(guò)已知輸入電容測(cè)量IB+”部分(AN-1373的第6頁(yè))描述的實(shí)驗(yàn)中,由于溫控室中的溫度提高至125°C,因此需使用能夠承受該溫度的材料。如將RG-316U用作同軸電纜的材料。此外,評(píng)估板上ADA4530-1的同相輸入是三軸連接器。為此,三軸-同軸轉(zhuǎn)換連接器(Axis公司的BJ-TXP-1)被采用。在該配置中,三軸側(cè)的保護(hù)端口保持浮空。


圖3.Cp測(cè)量設(shè)置:(a)溫控室內(nèi)部——所示為ADA4530-1的評(píng)估板和(b)測(cè)試盒側(cè)的設(shè)置

獲得的測(cè)量結(jié)果是Cp = 73.6pF,這是一個(gè)相對(duì)較大的值,因?yàn)楦鶕?jù)AN-1373,實(shí)際測(cè)量值約為2pF。其原因與測(cè)試盒(更像是測(cè)試板)到同相輸入的電纜長(zhǎng)度有關(guān)。

通過(guò)已知輸入電容測(cè)量IB+

下面開(kāi)始測(cè)量偏置電流。電路配置如圖1所示,安裝的測(cè)試盒如圖4所示。注意,移除了“通過(guò)輸入串聯(lián)電阻測(cè)量總輸入電容”部分使用的輸入電阻。如AN-1373(容性集成測(cè)量方法,第7頁(yè))中所述,將SW短接至GND,然后將其置于開(kāi)路,并使用數(shù)字萬(wàn)用表(DMM)監(jiān)控輸出電壓波動(dòng)持續(xù)數(shù)分鐘(此處使用的是Keysight Technologies的34401A DMM)。最后,通過(guò)將VOUT代入等式1,計(jì)算IB+。


圖4.容性集成測(cè)量的設(shè)置

相同條件下的三次測(cè)量結(jié)果如圖5所示。圖中下半部分顯示了通過(guò)DMM測(cè)量的ADA4530-1的輸出電壓波動(dòng),上半部分顯示了使用等式1計(jì)算的電流值。該圖顯示,對(duì)于所有三個(gè)實(shí)例,測(cè)得的電壓值都沒(méi)有可重復(fù)性。因此,計(jì)算得到的電流值波形也與AN-1373中描述的結(jié)果不同(參見(jiàn)AN-1373圖13和14)。


圖5.測(cè)量結(jié)果:下半部分顯示了通過(guò)DMM測(cè)量的ADA4530-1的輸出電壓,上半部分顯示了使用等式1計(jì)算的電流值。藍(lán)線(xiàn)是第一次測(cè)量,綠線(xiàn)是第二次測(cè)量,紅線(xiàn)是第三次測(cè)量。

如何改進(jìn)測(cè)量環(huán)境

在“容性集成測(cè)量”部分,根據(jù)AN-1373測(cè)量了IB+,但結(jié)果有所不同。接下來(lái)會(huì)分享如何改進(jìn)測(cè)量環(huán)境,從而提高測(cè)量精度。

安裝屏蔽盒并縮短輸入電纜

首先,可實(shí)施以下兩項(xiàng)改進(jìn):
u        在恒溫室內(nèi)的評(píng)估板上安裝了屏蔽盒(參見(jiàn)圖6)。


圖6.安裝屏蔽盒

u        縮短了連接到同相輸入端子的同軸電纜,以減小Cp(參見(jiàn)圖7)。


圖7.縮短同軸電纜

第一項(xiàng)改進(jìn)旨在減少外部噪聲的影響,第二項(xiàng)改進(jìn)是降低電纜中的小漏電流(重新計(jì)算的Cp是35.2pF)。然而,雖然采取了這些措施并重新進(jìn)行了測(cè)量,但與“容性集成測(cè)量”中獲得的結(jié)果類(lèi)似,沒(méi)有觀(guān)察到可重復(fù)性。波形與預(yù)期波形顯著不同。

移除測(cè)試盒

移除所用的測(cè)試盒,然后將SW改為直接短接至地和開(kāi)路(參見(jiàn)圖8)。也就是說(shuō),移除稱(chēng)為測(cè)試盒的電導(dǎo)組件,然后執(zhí)行測(cè)量。因此,能夠獲得如圖9所示的波形。


圖8.移除測(cè)試盒后進(jìn)行測(cè)量。在SW內(nèi)部手動(dòng)執(zhí)行短路和開(kāi)路操作。


圖9.移除測(cè)試盒后的測(cè)量結(jié)果:藍(lán)線(xiàn)、橙線(xiàn)和綠線(xiàn)是Cp = 35.2pF時(shí)的測(cè)量結(jié)果。紅線(xiàn)是Cp = 26.5pF時(shí)的測(cè)量結(jié)果。

在所有測(cè)量中,由DMM測(cè)量的輸出電壓以恒定斜率升高,并達(dá)到約4.16V。對(duì)應(yīng)的電流值約為50fA。

此外,圖9中的紅線(xiàn)顯示使用更短的同軸電纜連接到同相輸入端子時(shí),重新測(cè)量的波形(Cp = 26.5pF)。電壓升高的斜率與理論計(jì)算值一樣大。從這些測(cè)量結(jié)果可以看出,輸入側(cè)的電導(dǎo)組件會(huì)對(duì)測(cè)量精度產(chǎn)生顯著的不利影響。

結(jié)論

雖然fA級(jí)測(cè)量可在一般實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中執(zhí)行,但需要仔細(xì)考慮運(yùn)算放大器輸入側(cè)的漏電流路徑。為了提高測(cè)量精度,建議在輸入側(cè)使用特氟龍端子模塊或評(píng)估板配合使用三軸電纜。

致謝

作者在此衷心感謝Scott Hunt、Iku Nagai和Jun Kakinuma提供的技術(shù)建議。

關(guān)于作者

Aoi Ueda于2021年加入ADI公司日本子公司(ADKK),擔(dān)任儀器儀表部門(mén)的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師。他于2021年和2019年分別獲得奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)的工程碩士學(xué)位和奈良工業(yè)高等專(zhuān)門(mén)學(xué)校的學(xué)士學(xué)位。他是一名日本偶像御宅族。

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