（54-VQFN封裝）LMG3422R050RQZR [PMIC - 全、半橋驅(qū)動(dòng)器] LMG3425R050RQZR

Mingjiada

LMG3422R050RQZR   具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50mΩ GaN FET
LMG3425R050RQZR  具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET

規(guī)格：
輸出配置：半橋
應(yīng)用：通用
接口：PWM
負(fù)載類型：電感，電容性，電阻
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流 - 輸出/通道：1.2A
電流 - 峰值輸出：1.2A
電壓 - 供電：7.5V ~ 18V
電壓 - 負(fù)載：7.5V ~ 18V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
特性：自舉電路，閂鎖功能，壓擺率受控型
故障保護(hù)：過(guò)流，超溫，UVLO
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：54-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：54-VQFN（12x12）

描述：
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴。可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。 LMG3425R050 包含理想二極管模式，該模式通過(guò)啟用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能來(lái)降低第三象限損耗。

特征：
符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)
帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns CMTI
3.6MHz 開關(guān)頻率
20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
在 7.5V 至 18V 電源下工作
強(qiáng)大的保護(hù)
響應(yīng)時(shí)間少于 100 ns 的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)
硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
高級(jí)電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
理想二極管模式可減少 LMG3425R050 中的第三象限損耗

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