IMZ120R140M1H(19A)IMW120R007M1H(225A)碳化硅MOSFET

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產(chǎn)品規(guī)格

1、參數(shù)：IMZ120R140M1HXKSA1 （IMZ120R140M1H）
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：182 毫歐 @ 6A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+23V，-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：94W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4-1
封裝/外殼：TO-247-4
基本產(chǎn)品編號(hào)：IMZ120
2、參數(shù)：IMW120R007M1H （IMW120R007M1HXKSA1）
FET 類(lèi)型：N 通道
技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：225A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9.9 毫歐 @ 108A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 47mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：220 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：9170 nF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：750W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3
封裝/外殼：TO-247-3


產(chǎn)品概述
英飛凌CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)。


應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電池化成
電動(dòng)汽車(chē)快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
明佳達(dá)電子/星際金華 供求IMZ120R140M1H(19A)IMW120R007M1H(225A)碳化硅MOSFET。
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