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IMZ120R140M1H，IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 單管 晶體管 采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC™溝槽式碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經過優化，兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統硅（Si）基開關相比，SiC MOSFET具有諸多優勢，例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。 特征： 一流的開關和導通損耗 基準高閾值電壓，Vth > 4 V 0V關斷柵極電壓，簡單輕松地進行柵極驅動 柵源電壓范圍寬 損耗低且牢固的體二極管，可用于硬換向 開關關斷損耗不受溫度影響 驅動源引腳，優化開關性能 優勢： 最高效率 減少了冷卻工作 提高了操作頻率 增加了功率密度 降低了系統的復雜程度 應用： 不間斷電源（UPS） 電動汽車快速充電 太陽能系統解決方案 規格： FET 類型:N 通道 技術:SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）:1200 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):19A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）:182 毫歐 @ 6A，18V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:5.7V @ 2.5mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）:13 nC @ 18 V Vgs（最大值）:+23V，-7V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：454 pF @ 800 V 功率耗散（最大值）：94W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：通孔 供應商器件封裝：PG-TO247-4-1 封裝/外殼：TO-247-4 基本產品編號：IMZ120 星際金華，明佳達 供求 IMZ120R140M1H，IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅 MOSFET 單管 晶體管！ |
