|
IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶體管 說明： 采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合，可在電機(jī)驅(qū)動、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實現(xiàn)最高效率和被動制冷。 規(guī)格： FET 類型：N 通道 技術(shù)：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：1200 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Tc） 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：294 毫歐 @ 4A，18V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.6mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.4 nC @ 18 V Vgs（最大值）：+18V，-15V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：312 pF @ 800 V FET 功能：標(biāo)準(zhǔn) 功率耗散（最大值）：83W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-12 特征描述： 極低的開關(guān)損耗 短路能力：3 μs dV/dt完全可控 柵極閾值電壓典型值：VGS(th) = 4.5 V 出色的抗寄生導(dǎo)通能力，能夠?qū)崿F(xiàn)0V關(guān)斷 牢固的體二極管，可用于硬開關(guān) .XT互聯(lián)技術(shù)，實現(xiàn)一流的熱性能 封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm Sense引腳，優(yōu)化了開關(guān)性能 優(yōu)勢： 提高效率 實現(xiàn)更高的工作頻率 增加功率密度 減少冷卻工作 降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本 SMD封裝，無需增設(shè)散熱器，即可實現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中 應(yīng)用領(lǐng)域： 不間斷電源（UPS） 電動汽車快速充電 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和控制 太陽能系統(tǒng)解決方案 星際金華，明佳達(dá) 供求 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶體管！ |
