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IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶體管 說明： 采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先進的溝槽工藝，該工藝經過優化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術的低功耗特性與.XT互聯技術相結合，可在電機驅動、充電模塊以及工業電源等應用中實現最高效率和被動制冷。 規格： FET 類型：N 通道 技術：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：1200 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：13A（Tc） 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：294 毫歐 @ 4A，18V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.6mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.4 nC @ 18 V Vgs（最大值）：+18V，-15V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：312 pF @ 800 V FET 功能：標準 功率耗散（最大值）：83W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PG-TO263-7-12 特征描述： 極低的開關損耗 短路能力：3 μs dV/dt完全可控 柵極閾值電壓典型值：VGS(th) = 4.5 V 出色的抗寄生導通能力，能夠實現0V關斷 牢固的體二極管，可用于硬開關 .XT互聯技術，實現一流的熱性能 封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm Sense引腳，優化了開關性能 優勢： 提高效率 實現更高的工作頻率 增加功率密度 減少冷卻工作 降低系統復雜程度和成本 SMD封裝，無需增設散熱器，即可實現自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中 應用領域： 不間斷電源（UPS） 電動汽車快速充電 工業電機驅動和控制 太陽能系統解決方案 星際金華，明佳達 供求 IMBG120R220M1H（IMBG120R220M1HXTMA1）N通道 1200 V 13A晶體管！ |
