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新型50mOhm SuperGaN場效應晶體管簡化并加快基于氮化鎵的高功率系統的開發，適用于數據中心和廣泛工業應用 Transphorm, Inc.新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。 
TP65H050G4BS通過了JEDEC認證，為設計者和制造商提供了多項優勢，賦能他們開發通常用于數據中心和廣泛工業應用的高功率（數千瓦到幾千瓦）系統。它具有Transphorm一流的可靠性、柵極穩健性(±20 Vmax)和抗硅噪聲閾值(4V)，以及氮化鎵技術所具備的易設計性和驅動性能。工程師們需要使用較大的D2PAK來滿足更高的功率和表面貼裝封裝需求。與PQFN封裝相比，D2PAK可以實現更好的熱性能，同時幫助用戶通過單一的制造流程提高PCB組裝效率。 D2PAK可作為分立器件提供，也可配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC無橋圖騰柱功率因素校正(PFC)評估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它還可以切換至1.2kW同步半橋TDHBG1200DC100-KIT評估板，以驅動多千瓦功率。 Transphorm全球營銷、應用和業務發展高級副總裁Philip Zuk表示：“D2PAK是對我們產品組合的一個重要補充。它將我們的SMD產品的可用性拓展至高功率領域，而之前我們用通孔器件支持這些應用。客戶可獲得我們氮化鎵平臺的多項優勢，如熟悉的TO-XXX封裝消除了設計挑戰、簡化了系統開發并加快了產品上市速度。” Transphorm是當前提供標準TO-XXX封裝的高壓氮化鎵器件的唯一氮化鎵供應商。值得注意的是，鑒于其固有的柵極損壞敏感性，這些封裝產品不支持替代性的增強型氮化鎵技術。 產品供應 上述器件和評估板可通過下述鏈接在Digi-Key和Mouser上購買： |
