晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時加工1片或多片晶圓。隨著半導體特征尺寸越來越小，加工及測量設備越來越先進，使得晶圓加工出現了新的數據特點。同時，特征尺寸的減小，使得晶圓加工時，空氣中的顆粒數對晶圓加工后質量及可靠性的影響增大，而隨著潔凈的提高，顆粒數也出現了新的數據特點。 隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術的不斷發展，芯片特征尺寸越來越小，互連層數越來越多，晶圓直徑也不斷增大。要實現多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD/CVD一起被稱為IC制造最核心的五大關鍵技術。
由工采網代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV022NL0013P是一款1200V、40A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。廣泛應用在中等功率驅動器、1200V光伏、電焊機、工業縫紉機、伺服馬達等等領域。 IGBT芯片經歷了一系列的迭代過程從PT技術向NPT技術，再到現在FS技術的升級，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引入；持續降低了Vce，并提高了功率密度；通過表面金屬及鈍化層優化，可滿足車用的高可靠性要求。 FS生產工藝以輕摻雜N-區熔單晶硅作為起始材料，完成正面元胞制作之后再進行背面工藝。在硅片減薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+ buffer, 最后注入硼，形成P+ collector, 激活雜質后再淀積金屬鋁。 FS相對于NPT而言，背面增加了N型注入、硅片更薄，硅片在加工過程中的碎片率上升。更薄的N-區電阻小，使VCESAT更低；更薄N-層導通時存儲的過剩載流子總量少，使關斷時間及關斷損耗減少。 臺灣茂矽IGBT產品已經逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變等領域，并受到客戶的青睞，ISWEEK工采網擁有一整套完整的解決方案，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號) |
