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公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計工具可以為45W至140W的 適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設(shè)計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計選項，覆蓋多種拓撲結(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。 
SuperGaN技術(shù)的差異化優(yōu)勢 電源適配器參考設(shè)計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計簡單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?br /> 點擊這里查閱當前提供的電源適配器參考設(shè)計組合。 |
